本资产评估报告依据中国资产评估准则编制
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购
所涉及的上海新昇半导体科技有限公司
股东全部权益项目
资 产 评 估 报 告
中联评报字【2020】第 887 号
中联资产评估集团有限公司
二〇二〇年五月
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
目 录
声明 ........................................................ 1
摘 要 ...................................................... 3
资 产 评 估 报 告 ........................................... 5
一、委托人、被评估单位和其他评估报告使用者 .................. 5
二、评估目的 ............................................... 9
三、评估对象和评估范围 .................................... 10
四、价值类型及其定义 ...................................... 36
五、评估基准日 ............................................ 36
六、评估依据 .............................................. 37
七、评估方法 .............................................. 40
八、评估程序实施过程和情况................................. 52
九、评估假设 .............................................. 54
十、评估结论 .............................................. 55
十一、特别事项说明 ........................................ 58
十二、资产评估报告使用限制说明............................. 61
十三、资产评估报告日 ...................................... 62
附件目录 .................................................... 64
中联资产评估集团有限公司
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
声明
一、本资产评估报告依据财政部发布的资产评估基本准则和中国资产
评估协会发布的资产评估执业准则和职业道德准则编制。
二、委托人或者其他资产评估报告使用人应当按照法律、行政法规规
定和资产评估报告载明的使用范围使用资产评估报告；委托人或者其他资
产评估报告使用人违反前述规定使用资产评估报告的，资产评估机构及其
资产评估专业人员不承担责任。
三、资产评估报告仅供委托人、资产评估委托合同中约定的其他资产
评估报告使用人和法律、行政法规规定的资产评估报告使用人使用；除此
之外，其他任何机构和个人不能成为资产评估报告的使用人。
四、资产评估报告使用人应当正确理解和使用评估结论，评估结论不
等同于评估对象可实现价格，评估结论不应当被认为是对评估对象可实现
价格的保证。
五、资产评估报告使用人应当关注评估结论成立的假设前提、资产评
估报告特别事项说明和使用限制。
六、资产评估机构及其资产评估专业人员遵守法律、行政法规和资产
评估准则，坚持独立、客观、公正的原则，并对所出具的资产评估报告依
法承担责任。
七、我们已对资产评估报告中的评估对象及其所涉及资产进行现场调
查；已经对评估对象及其所涉及资产的法律权属状况给予必要的关注，对
评估对象及其所涉及资产的法律权属资料进行了查验，对已经发现的问题
进行了如实披露，并且已提请委托人及其他相关当事人完善产权以满足出
具资产评估报告的要求。
本评估机构及资产评估师不对评估对象及其所涉及资产的法律权属
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
的真实性做任何形式的保证。
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购
所涉及的上海新昇半导体科技有限公司
股东全部权益项目
资 产 评 估 报 告
中联评报字【2020】第 887 号
摘 要
中联资产评估集团有限公司接受上海硅产业集团股份有限公司的委
托，就上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购之经济行为，对所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日的市场价值进
行了评估。
评估对象为上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益，评估范围是
上海新昇半导体科技有限公司的全部资产及相关负债，包括流动资产、非
流动资产及相应负债。
评估基准日为 2019 年 9 月 30 日。
本次评估的价值类型为市场价值。
本次评估以持续使用和公开市场为前提，结合委估对象的实际情况，
综合考虑各种影响因素，分别采用资产基础法和市场法两种方法对上海新
昇半导体科技有限公司进行整体评估，然后加以校核比较。考虑评估方法
的适用前提和满足评估目的，本次选用资产基础法评估结果作为最终评估
结论。
经实施清查核实、实地查勘、市场调查和询证、评定估算等评估程序，
得出上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日 2019 年 9
月 30 日的评估结论如下：
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日 2019 年 9
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上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
月 30 日的评估值为 199,726.08 万元，较账面值 67,040.30 万元，评估增
值 132,685.78 万元，增值率 197.92%。
在使用本评估结论时，特别提请报告使用者使用本报告时注意报告中
所载明的特殊事项以及期后重大事项。
根据资产评估相关法律法规，涉及法定评估业务的资产评估报告，须
委托人按照法律法规要求履行资产评估监督管理程序后使用，评估结果使
用有效期一年，即自 2019 年 9 月 30 日至 2020 年 9 月 29 日使用有效。
以上内容摘自资产评估报告正文，了解本评估项目的详细情况和合理
理解评估结论，应当阅读资产评估报告全文。
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购
所涉及的上海新昇半导体科技有限公司
股东全部权益项目
资 产 评 估 报 告
中联评报字【2020】第 887 号
上海硅产业集团股份有限公司：
中联资产评估集团有限公司接受贵公司的委托，根据有关法律法规和
资产评估准则，坚持独立、客观和公正的原则，采用资产基础法和市场法，
按照必要的评估程序，对上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购之经济
行为所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日
2019 年 9 月 30 日的市场价值进行了评估。现将资产评估情况报告如下：
一、委托人、被评估单位和其他评估报告使用者
本次资产评估的委托人为上海硅产业集团股份有限公司，被评估单位
为上海新昇半导体科技有限公司。
(一)委托人概况
公司名称：上海硅产业集团股份有限公司(以下简称“上海硅产业”)
注册地址：上海市嘉定区兴邦路 755 号 3 幢
法定代表人：俞跃辉
注册资本：186019.1800 万元人民币
公司类型：股份有限公司(上市)
统一社会信用代码：91310114MA1GT35K5B
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
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成立日期：2015 年 12 月 09 日
营业期限：2015 年 12 月 09 日至不约定期限
经营范围：硅产品和集成电路产品技术领域内的技术服务，硅产品和
集成电路研制、销售，硅材料行业投资，集成电路行业投资，创业投资，
实业投资，资产管理，投资咨询，投资管理，企业管理咨询，商业咨询。
【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
(二)被评估单位概况
企业名称：上海新昇半导体科技有限公司(以下简称“新昇半导体”)
统一社会信用代码：91310115301484416G
住 所：浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室
注册资本：78000.0000万人民币
法定代表人：李炜
经济性质：其他有限责任公司
经营范围：高品质半导体硅片研发、生产和销售，从事货物及技术的
进出口业务。
【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
经营期限：2014年06月04日至2044年06月03日
1.公司历史沿革及股东结构
(1)初始成立
上海新昇半导体科技有限公司成立于 2014 年 06 月 04 日，注册资本
为人民币 50,000.00 万元，由上海新阳半导体材料股份有限公司、深圳市
兴森快捷电路科技股份有限公司、上海新傲科技股份有限公司与上海皓芯
投资管理有限公司共同出资设立。股东结构和股权比例如下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体材料股份有限公司 19,000.00 38.00
2 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 16,000.00 32.00
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序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
3 上海新傲科技股份有限公司 5,000.00 10.00
4 上海皓芯投资管理有限公司 10,000.00 20.00
合 计 50,000.00 100.00
(2)第一次股权转让并增资
2016年5月，根据《股东转让协议》，股东上海新傲科技股份有限公司
将所持有新昇半导体的全部所有者权益转让给上海硅产业集团股份有限
公司，同时上海硅产业集团股份有限公司增资 28,000 万元，变更后的公
司注册资本为78,000 万元，股东结构和股权比例如下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体材料股份有限公司 19,000.00 24.36
2 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 16,000.00 20.51
3 上海硅产业集团股份有限公司 33,000.00 42.31
4 上海皓芯投资管理有限公司 10,000.00 12.82
合 计 78,000.00 100.00
(3)第二次股权转让
2016 年 11 月，根据《股东转让协议》，深圳市兴森快捷电路科技股
份有限公司将所持有新昇半导体的全部所有者权益转让给上海硅产业集
团股份有限公司。变更后股东结构和股权比例如下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体材料股份有限公司 19,000.00 24.36
2 上海硅产业集团股份有限公司 49,000.00 62.82
3 上海皓芯投资管理有限公司 10,000.00 12.82
合 计 78,000.00 100.00
(4)第三次股权转让
2017年10月，根据《股东转让协议》，上海皓芯投资管理有限公司将
所持有的3.205%所有者权益转让给上海新阳半导体材料股份有限公司。变
更后股东结构和股权比例如下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体材料股份有限公司 21,500.00 27.56
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
2 上海硅产业集团股份有限公司 49,000.00 62.82
3 上海皓芯投资管理有限公司 7,500.00 9.62
合 计 78,000.00 100.00
(5)第四次股权转让
2018年4月，根据《股东转让协议》，上海皓芯投资管理有限公司将所
持有的剩余全部9.615%所有者权益转让给上海硅产业集团股份有限公司。
变更后股东结构和股权比例如下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体材料股份有限公司 21,500.00 27.56
2 上海硅产业集团股份有限公司 56,500.00 72.44
合 计 78,000.00 100.00
（6）第五次股权转让
2019年3月29日，上海新阳半导体材料股份有限公司将所持有的部分上
海新昇股权转让给上海硅产业集团股份有限公司。变更后股东结构和股权
比例如下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体材料股份有限公司 1,170.00 1.5
2 上海硅产业集团股份有限公司 76,830.00 98.5
合 计 78,000.00 100.00
本次变更完成后，截止评估基准日，公司之股权结构未发生变化。
2.主营业务情况
上海新昇半导体科技有限公司始建于2014年6月，坐落于临港重装备
区内，占地150亩，总投资68亿元，一期总投资23亿元。新昇半导体第一期
目标致力于在我国研究、开发适用于40-28nm节点的300mm硅单晶生长、硅
片加工、外延片制备、硅片分析检测等硅片产业化成套量产工艺；建设300
毫米半导体硅片的生产基地，实现300毫米半导体硅片的国产化，充分满足
我国极大规模集成电路产业对硅衬底基础材料的迫切要求。新昇半导体一
期投入后，预计月产能为15万片12英寸硅片，最终将形成300mm硅片60万片
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/月的产能，年产值达到60亿元。新昇半导体将与世界一流技术接轨，达到
世界先进水平。
3.公司资产、负债及财务状况
截止 2019 年 9 月 30 日，新昇半导体账面资产总额为 234,579.62 万
元，负债总额为 167,539.32 万元，净资产为 67,040.30 万元。公司前二年
及基准日资产、负债、财务状况如下表：
单位：万元
项 目 2017 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日 2019 年 9 月 30 日
总资产 157,842.92 280,553.96 234,579.62
负债 91,101.58 204,483.01 167,539.32
净资产 66,741.34 76,070.95 67,040.30
项 目 2017 年度 2018 年度 2019 年 1-9 月
营业收入 2,470.17 21,510.84 13,825.89
营业利润 -2,009.14 -675.15 -9,482.41
净利润 -2,106.01 -670.39 -9,495.76
注：上表数据来源于经普华永道审计的上海硅产业集团股份有限公司合并报表范围内（普华永
道中天审字(2019)第 11056 号）
(三)委托人与被评估单位之间的关系
委托人上海硅产业集团股份有限公司为被评估单位上海新昇半导体
科技有限公司股东，也是本次经济行为涉及的股权受让方。
(四)委托人、资产评估委托合同约定的其他评估报告使用者
本评估报告的使用者为委托人和相关监管机构。
除国家法律法规另有规定外，任何未经评估机构和委托人确认的机构
或个人不能由于得到评估报告而成为评估报告使用者。
二、评估目的
根据上海新昇《临时董事会决议》（2020 临董 002 号），上海硅产业
集团股份有限公司拟收购上海新昇半导体科技有限公司股权，为此需对上
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上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
海新昇半导体科技有限公司于基准日的股东全部权益价值进行评估。
本次评估的目的是反映所涉及的上海新昇半导体科技有限公司的股
东全部权益在评估基准日的市场价值，为上述经济行为提供价值参考依据。
三、评估对象和评估范围
(一)评估对象
评估对象是上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益。
(二)评估范围
评估范围为上海新昇半导体科技有限公司于评估基准日的全部资产
及相关负债，账面资产总额为 234,579.62 万元，负债总额为 167,539.32
万元，净资产为 67,040.30 万元。具体包括流动资产 40,543.06 万元；非
流动资产 194,036.56 万元；流动负债 42,887.94 万元；非流动负债
124,651.38 万元。
上述资产与负债数据包括在经普华永道审计的上海硅产业集团股份
有限公司合并报表范围内（普华永道中天审字(2019)第 11056 号），评估
是在企业经过审计后的基础上进行的。
委托评估对象和评估范围与经济行为涉及的评估对象和评估范围一
致。
(三)委估主要资产情况
本次评估范围中的主要资产为流动资产、固定资产、在建工程、无形
资产及其他非流动资产等。
1.流动资产
流动资产主要由货币资金、应收账款、预付款项、其他应收款、存货
及其他流动资产等组成。
2.固定资产
(1)房屋建筑物
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房屋建筑物位于上海市浦东新区云水路 1000 号内，共 19 幢建筑物、
包括拉晶厂房、动力站、切磨抛厂房、生产厂房 A、中试楼、增压泵房及门
卫等，产证号为沪（2019）浦字不动产权第 117292 号。另有 9 项构筑物。
上述建(构)筑主要为企业自用。
(2)设备类资产
固定资产主要是设备类资产，按用途分为机器设备、车辆和电子设备。
其中机器设备总计 430 台(套)，主要有多层外延反应炉、微粒检测机、大
投量拉晶机 、双面抛光机、双面研磨机、线切割机等；车辆共 3 辆，为轿
车及大客车；电子设备共计 521 台(套)，主要有电脑、空调、打印机、复
印机、服务器、交换机等。上述设备目前正常使用中。
3.在建工程
在建工程为设备安装工程，明细表共 99 项，主要设备有双面抛光机、
抛光后检验机、退火前清洗机、大投量拉晶机、二期超纯水处理系统工程
(设备)、超导磁场、双面研磨机、高效外延反应炉、边缘检测机等。
4.无形资产
(1)无形资产-土地使用股权
土地使用权由“沪房地浦字(2016)第 279070 号”上海市房地产权证》
确权，房地产权利人为上海新昇半导体科技有限公司，权属性质为国有建
设用地使用权，使用权取得方式为出让，用途为工业用地，宗地号为泥城
镇 23 街坊 46/14 丘，宗地(丘)面积为 100,067.00 平方米，使用期限为
2015 年 6 月 12 日至 2065 年 6 月 11 日止。
(2)无形资产-其他无形资产
无形资产-其他无形资产为企业外购的软件，共 62 项。
5.其他非流动资产
其他非流动资产共 34 项，主要内容为预付设备款及工程款。
(四)企业申报的账面记录或者未记录的无形资产情况
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上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
1.账面记录的无形资产
截止评估基准日，被评估企业申报的评估范围内账面记录的无形资产
为土地使用权1幅和外购各类办公软件62项。其中：土地使用权由“沪房地
浦字(2016)第279070号”《上海市房地产权证》确权，房地产权利人为上
海新昇半导体科技有限公司，权属性质为国有建设用地使用权，使用权取
得方式为出让，用途为工业用地，宗地号为泥城镇23街坊46/14丘，宗地(丘)
面积为100,067.00平方米，使用期限为2015年6月12日至2065年6月11日止。
2.账面未记录的无形资产
截止评估基准日，被评估企业申报的评估范围内账面未记录的无形资
产为专利及专利申请权共计 605 项，权利人为上海新昇半导体科技有限公
司，具体如下：
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
石英腔体的固定治具及清
1 201620490839.2 实用新型 2016/5/25 2026/5/24 授权 中国
洗装置
2 一种气体管路 201620691686.8 实用新型 2016/7/1 2026/6/30 授权 中国
3 气体处理装置 201620692353.7 实用新型 2016/7/4 2026/7/3 授权 中国
4 硅单晶棒回收装置 201620480717.5 实用新型 2016/5/24 2026/5/23 授权 中国
5 晶盒封装装置 201620480746.1 实用新型 2016/5/24 2026/5/23 授权 中国
6 晶盒包装装置 201620486186 实用新型 2016/5/25 2026/5/24 授权 中国
7 尾气管路加热装置 201620623889.3 实用新型 2016/6/22 2026/6/21 授权 中国
8 化学品供应装置 201620560353.1 实用新型 2016/6/12 2026/6/11 授权 中国
9 一种晶棒固定装置 201621296061.8 实用新型 2016/11/29 2026/11/28 授权 中国
制作用于测量硅片表面的
10 201720678057.6 实用新型 2017/6/12 2027/6/11 授权 中国
金属量的样品的蚀刻台
11 一种硅片清洗槽 201720878845.X 实用新型 2017/7/19 2027/7/18 授权 中国
一种用于多线切割机的收
12 201720808208.5 实用新型 2017/7/5 2027/7/4 授权 中国
线轴以及多线切割机
硅单晶棒回收装置及方
13 201510661933.X 发明 2015/10/14 2035/10/13 授权 中国
法、液氮供应装置
14 半导体结构及其形成方法 201510658749.X 发明 2015/10/13 2035/10/12 授权 中国
15 半导体结构及其形成方法 201510659197.4 发明 2015/10/13 2035/10/12 授权 中国
场效应晶体管及其制备方
16 201510667042.5 发明 2015/10/15 2035/10/14 授权 中国
法
单晶硅锭及晶圆的形成方
17 201510672144.6 发明 2015/10/15 2035/10/14 授权 中国
法
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
互补场效应晶体管及其制
18 201510671009.X 发明 2015/10/15 2035/10/14 授权 中国
备方法
19 反应炉 201721034930.4 实用新型 2017/8/17 2027/8/16 授权 中国
20 硅片研磨和清洗装置 201721880326.3 实用新型 2017/12/28 2027/12/27 授权 中国
21 集电装置及半导体设备 201721149829.3 实用新型 2017/9/8 2027/9/7 授权 中国
一种用于晶棒外径研磨的
22 201820150775.0 实用新型 2018/1/29 2028/1/28 授权 中国
夹具及研磨装置
23 一种拉晶炉 201821161235.9 实用新型 2018/7/20 2028/7/19 授权 中国
一种应用于单晶炉的冷却
24 201821169882.4 实用新型 2018/7/20 2028/7/19 授权 中国
装置及单晶炉
25 SOI 衬底及其制备方法 201510683914.7 发明 2015/10/20 2035/10/19 授权 中国
绝缘体上 III-V 化合物衬
26 201510703722.8 发明 2015/10/26 2035/10/25 授权 中国
底的制备方法
高压无结场效应器件及其
27 201510749582.8 发明 2015/11/6 2035/11/5 授权 中国
形成方法
具有漂移区的高压无结场
28 201510765530.X 发明 2015/11/11 2035/11/10 授权 中国
效应器件及其形成方法
监测基座温度均匀性的方
29 201510900577.2 发明 2015/12/8 2035/12/7 授权 中国
法
监测基座温度均匀性的方
30 201510901208.5 发明 2015/12/8 2035/12/7 授权 中国
法
真空管闪存结构之制造方
31 201610120869.9 发明 2016/3/3 2036/3/2 授权 中国
法
真空纳米管场效应晶体管
32 201610307379.X 发明 2016/5/10 2036/5/9 授权 中国
及其制造方法
真空纳米管场效应晶体管
33 201610307101.2 发明 2016/5/10 2036/5/9 授权 中国
及其制造方法
基于二维电子气的低功耗
34 201610352710.X 发明 2016/5/14 2036/5/13 授权 中国
氢气传感器及其制造方法
一种晶圆片架的取放片装
35 201610588892.0 发明 2016/7/25 2036/7/24 授权 中国
置
一种 OLED 结构及其制作
36 201611256318.1 发明 2016/12/30 2036/12/29 授权 中国
方法
37 一种真空吸笔 201821768321.6 实用新型 2018/10/29 2028/10/28 授权 中国
38 - 201920230383.X 实用新型 2019/2/21 2029/2/20 授权 中国
39 晶盒包装装置 201620486186.0 实用新型 2016/5/25 2026/5/24 授权 中国
40 垂直晶体管及其制备方法 201510703700.1 发明 2015/10/26 在受理 中国
高压无结场效应器件及其
41 201510746889.2 发明 2015/11/6 在受理 中国
形成方法
双沟道 FinFET 器件及其
42 201510844310.6 发明 2015/11/26 在受理 中国
制造方法
具有漂移区和渐变沟道的
43 高压无结场效应器件及其 201510924724.X 发明 2015/12/11 在受理 中国
形成方法
单晶硅锭及晶圆的形成方
44 201510939120.2 发明 2015/12/15 在受理 中国
法
中联资产评估集团有限公司 第13页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
互补纳米线半导体器件
45 201510943725.9 发明 2015/12/15 在受理 中国
及其制造方法
全密封真空纳米管场效应
46 201510981410.3 发明 2015/12/23 在受理 中国
晶体管及其制造方法
垂直真空密封碳纳米管场
47 201510981315.3 发明 2015/12/23 在受理 中国
效应晶体管及其制造方法
48 晶圆热处理的方法 201610120844.9 发明 2016/3/3 在受理 中国
49 晶圆热处理的方法 201610120562.9 发明 2016/3/3 在受理 中国
绝缘层上顶层硅衬底及其
50 201610120843.4 发明 2016/3/3 在受理 中国
制造方法
单晶硅的生长方法及其制
51 201610120879.2 发明 2016/3/3 在受理 中国
备的单晶硅锭
互补纳米线半导体器件及
52 201610120564.8 发明 2016/3/3 在受理 中国
其制备方法
绝缘层上顶层硅衬底及其
53 201610120565.2 发明 2016/3/3 在受理 中国
制造方法
鳍状场效应晶体管及其制
54 201610120577.5 发明 2016/3/3 在受理 中国
备方法
绝缘层上顶层硅衬底及其
55 201610120580.7 发明 2016/3/3 在受理 中国
制造方法
鳍状场效应晶体管及其制
56 201610120862.7 发明 2016/3/3 在受理 中国
备方法
57 半导体结构及其形成方法 201610319775.4 发明 2016/5/13 在受理 中国
58 微电子结构及其形成方法 201610293503.1 发明 2016/5/5 在受理 中国
液晶显示器面板及其像素
59 201610173628.0 发明 2016/3/24 在受理 中国
单元的制备方法
液晶显示器面板及其像素
60 201610318473.5 发明 2016/5/13 在受理 中国
单元的制备方法
真空管闪存结构及其制造
61 201610173638.4 发明 2016/3/24 在受理 中国
方法
提高硅晶片外延层表面平
62 201610278896.9 发明 2016/4/28 在受理 中国
整度的方法
63 微电子结构及其形成方法 201610293052.1 发明 2016/5/5 在受理 中国
双栅极石墨烯场效应晶体
64 201610173661.3 发明 2016/3/24 在受理 中国
管及其制造方法
制造石墨烯场效晶体管的
65 201610356807.8 发明 2016/5/26 在受理 中国
方法
降低预抽腔体中芯片温度
66 201610218470.4 发明 2016/4/8 在受理 中国
的方法及芯片降温装置
减少外延衬底缺陷的形成
67 201610205601.5 发明 2016/4/1 在受理 中国
方法
减少外延衬底缺陷的形成
68 201610293626.5 发明 2016/5/5 在受理 中国
方法
伯努利基座装置及沉积设
69 201610236823.3 发明 2016/4/15 在受理 中国
备
伯努利基座装置及沉积设
70 201610237813.1 发明 2016/4/15 在受理 中国
备
伯努利基座装置及沉积设
71 201610237765.6 发明 2016/4/15 在受理 中国
备
中联资产评估集团有限公司 第14页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
表面声波器件及其制造方
72 201610236703.3 发明 2016/4/15 在受理 中国
法、温度检测设备
73 晶圆金属污染的评估方法 201610237873.3 发明 2016/4/15 在受理 中国
74 晶圆控片及其制造方法 201610278144.2 发明 2016/4/28 在受理 中国
基板的抓取装置及其抓取
75 201610482087.X 发明 2016/6/27 在受理 中国
方法
76 石英腔体的清洗方法 201610356764.3 发明 2016/5/25 在受理 中国
77 晶盒清洗设备 201610596315.6 发明 2016/7/27 在受理 中国
78 一种外延生长方法 201610463905.1 发明 2016/6/26 在受理 中国
79 外延生长设备 201610353583.5 发明 2016/5/25 在受理 中国
80 外延设备腔室盖板 201610278900.1 发明 2016/4/28 在受理 中国
81 外延设备 201610278856.4 发明 2016/4/28 在受理 中国
石英腔体的清洗装置及清
82 201610356861.2 发明 2016/5/25 在受理 中国
洗方法
一种机械手臂及基板的抓
83 201610443457.9 发明 2016/6/20 在受理 中国
取方法
机械手臂的监控系统及监
84 201610428174.7 发明 2016/6/16 在受理 中国
控方法
85 低温外延方法及设备 201610327612.0 发明 2016/5/17 在受理 中国
86 熔体设备的保护装置 201610328847.1 发明 2016/5/17 在受理 中国
87 一种晶圆的双面抛光方法 201610332985.7 发明 2016/5/18 在受理 中国
环栅 III-V 量子阱晶体管
88 及锗无结晶体管及其制造 201610352706.3 发明 2016/5/24 在受理 中国
方
89 一种晶圆定位装置及方法 201610326082.8 发明 2016/5/17 在受理 中国
一种吸附材料、吸附装置
90 201610349293.3 发明 2016/5/24 在受理 中国
及制备方法
基于表面声波的湿度传感
91 201610352725.6 发明 2016/5/24 在受理 中国
器及其制造方法
一种晶圆支持板组件、抛
92 201610473618.9 发明 2016/6/24 在受理 中国
光装置及晶圆精抛光方法
一种线切割砂浆供应系统
93 201610472257.6 发明 2016/6/24 在受理 中国
及方法
一种抛光液供应系统及方
94 201610451540.0 发明 2016/6/21 在受理 中国
法
95 一种单晶硅生长炉 201610423045.9 发明 2016/6/15 在受理 中国
96 一种低温外延方法及装置 201610435872.X 发明 2016/6/17 在受理 中国
97 一种溶剂混合器 201610395471.6 发明 2016/6/6 在受理 中国
一种基于纳米线的高电子
98 迁移率晶体管及其制作方 201610473359.X 发明 2016/6/24 在受理 中国
法
一种形成氧化层和外延层
99 201610537121.9 发明 2016/7/8 在受理 中国
的方法
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
项目任务分配方法、装
100 置、计算机设备和项目管 201610541476.5 发明 2016/7/11 在受理 中国
理系统
一种半导体晶片湿法清洗
101 201610485915.5 发明 2016/6/28 在受理 中国
设备
102 直拉生长单晶硅的方法 201610544093.3 发明 2016/7/12 在受理 中国
在石英坩埚中制备硅熔融
103 201610543465.0 发明 2016/7/12 在受理 中国
体的方法
一种存储器结构及其制备
104 201610589314.9 发明 2016/7/25 在受理 中国
方法
105 一种晶圆减薄方法及装置 201610638222.5 发明 2016/8/5 在受理 中国
一种晶圆减薄方法及减薄
106 201610637636.6 发明 2016/8/5 在受理 中国
的晶圆结构
一种刻蚀方法、刻蚀装置
107 201610778065.8 发明 2016/8/30 在受理 中国
及半导体晶圆分割方法
一种外延设备、设备制作
108 201610664963.0 发明 2016/8/12 在受理 中国
方法及外延方法
109 一种拉晶炉的拉晶机构 201610814793.X 发明 2016/9/9 在受理 中国
一种半导体晶盒清洗干燥
110 201610850773.8 发明 2016/9/26 在受理 中国
储存一体化方法及设备
一种半导体晶圆的抛光方
111 201610898646.5 发明 2016/10/14 在受理 中国
法
112 半导体晶圆的抛光方法 201610899466.9 发明 2016/10/14 在受理 中国
一种纳米线存储器结构及
113 201610679692.6 发明 2016/8/17 在受理 中国
其制备方法
一种纳米管存储器结构及
114 201610681644.0 发明 2016/8/17 在受理 中国
其制备方法
一种减少自掺杂的底座及
115 201610664993.1 发明 2016/8/12 在受理 中国
外延设备
一种基于伯努利效应的底
116 201610670487.3 发明 2016/8/15 在受理 中国
座及外延设备
一种温度传感器及测温方
117 201610815681.6 发明 2016/9/8 在受理 中国
法
一种基于负电容的环栅场
118 201610833429.8 发明 2016/9/20 在受理 中国
效应晶体管及其制作方法
热屏组件及单晶提拉炉热
119 201610728299.1 发明 2016/8/25 在受理 中国
场结构
异型加热器及单晶提拉炉
120 201610725182.8 发明 2016/8/25 在受理 中国
热场结构
一种化学机械抛光液及其
121 201611084494.1 发明 2016/11/30 在受理 中国
制备方法
微波退火制备 3D NAND
122 201610842148.9 发明 2016/9/22 在受理 中国
的方法
晶圆键合方法及其键合装
123 201610908069.3 发明 2016/10/18 在受理 中国
置
显示屏的保护层及其形成
124 方法以及显示屏及其形成 201610844205.7 发明 2016/9/22 在受理 中国
方法
125 一种拉晶炉 201610874607.1 发明 2016/9/30 在受理 中国
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
126 一种单晶炉 201610818921.8 发明 2016/9/12 在受理 中国
127 籽晶夹头及直拉单晶炉 201610805126.5 发明 2016/9/6 在受理 中国
128 校准晶片及其制造方法 201610876793.2 发明 2016/9/30 在受理 中国
掺杂气体缓冲装置、掺杂
129 201610825552.5 发明 2016/9/14 在受理 中国
气体供给装置及方法
互补 CMOS 管的制造方
130 201610916657.1 发明 2016/10/20 在受理 中国
法
一种多晶硅二次加料装置
131 201610825530.9 发明 2016/9/14 在受理 中国
及方法
一种磁控去除硅化物颗粒
132 201611091074.6 发明 2016/12/1 在受理 中国
的尾气处理装置
一种互补晶体管器件结构
133 201610986588.1 发明 2016/11/9 在受理 中国
及其制作方法
一种半导体晶片湿法清洗
134 201610971358.8 发明 2016/11/3 在受理 中国
设备
改善晶圆表面切割形貌的
135 201611139742.8 发明 2016/12/12 在受理 中国
线切割系统
浮区法生长晶体的设备及
136 201611022589.0 发明 2016/11/17 在受理 中国
方法
坩埚、坩埚的制备方法及
137 201611024115.X 发明 2016/11/17 在受理 中国
4H-SiC 晶体的生长方法
4H-SiC 晶体生长设备及
138 201611022469.0 发明 2016/11/17 在受理 中国
方法
一种带有溢流腔的尾气处
139 201611060006.3 发明 2016/11/24 在受理 中国
理装置
140 校准晶片及其制造方法 201610934480.8 发明 2016/10/25 在受理 中国
141 自动进料系统及进料方法 201610953027.1 发明 2016/11/3 在受理 中国
单晶生长炉热屏及其制造
142 201610959752.X 发明 2016/10/28 在受理 中国
方法
143 基于 FTIR 的表征设备 201610987721.5 发明 2016/11/10 在受理 中国
144 4H-SiC 晶体生长方法 201611116598.6 发明 2016/12/7 在受理 中国
晶片放置装置和晶片定向
145 201710051656.X 发明 2017/1/19 在受理 中国
仪
146 晶圆表面平坦度测量系统 201611100690.3 发明 2016/12/5 在受理 中国
147 测量方法 201611113180.X 发明 2016/12/7 在受理 中国
148 抛光设备及检测方法 201710254306.3 发明 2017/4/18 在受理 中国
一种栅阵列无结半导体沟
149 道存储器结构及其制备方 201611236887.X 发明 2016/12/28 在受理 中国
法
一种无结半导体沟道栅阵
150 列存储器结构及其制备方 201611236881.2 发明 2016/12/28 在受理 中国
法
一种神经元晶体管结构及
151 201611235603.5 发明 2016/12/28 在受理 中国
其制备方法
神经元晶体管结构及其制
152 201611235618.1 发明 2016/12/28 在受理 中国
备方法
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
真空管场效应晶体管阵列
153 201611204711.6 发明 2016/12/23 在受理 中国
及其制造方法
晶棒线切割装置及晶棒线
154 201611100725.3 发明 2016/12/5 在受理 中国
切割方法
具有黑磷沟道层的低接触
155 电阻率 FinFET 及其制备 201611100748.4 发明 2016/12/5 在受理 中国
方法
一种硅片研磨装置及其研
156 201611264423.X 发明 2016/12/30 在受理 中国
磨方法
157 硅片的制作方法 201710068794.9 发明 2017/2/8 在受理 中国
SiC 晶体切片移动设备及
158 201611167941.X 发明 2016/12/16 在受理 中国
移动方法
SiC 晶体切片设备及切片
159 201611154276.0 发明 2016/12/14 在受理 中国
方法
基于水平激光照射的晶圆
160 201611261713.9 发明 2016/12/30 在受理 中国
减薄设备及方法
基于激光水射流的晶圆减
161 201611261712.4 发明 2016/12/30 在受理 中国
薄设备及方法
162 一种晶圆传片结构 201611247974.5 发明 2016/12/29 在受理 中国
一种碳纳米管束场效应晶
163 201710004518.6 发明 2017/1/4 在受理 中国
体管阵列及其制造方法
一种后栅无结与非门闪存
164 201710028176.1 发明 2017/1/13 在受理 中国
存储器及其制作方法
165 籽晶夹头及单晶提拉炉 201710056545.8 发明 2017/1/25 在受理 中国
竖直插入式阻挡脚及伯努
166 201710062833.4 发明 2017/1/25 在受理 中国
利吸盘
适用于单片式外延炉的分
167 201710056500.0 发明 2017/1/25 在受理 中国
离式基座组件
168 宏观划痕长度测量装置 201710062812.2 发明 2017/1/25 在受理 中国
169 一种坩埚轴升降装置 201710272634.6 发明 2017/4/24 在受理 中国
具有原子级平整表面的薄
170 201710135017.1 发明 2017/3/8 在受理 中国
膜的制备方法
自对准晶种层及自对准薄
171 201710134405.8 发明 2017/3/8 在受理 中国
膜的制备方法
一种光导开关及其制备方
172 201710254689.4 发明 2017/4/18 在受理 中国
法
一种多腔室外延炉及其气
173 201710272639.9 发明 2017/4/24 在受理 中国
压调节方法
174 一种外延炉硅片基座 201710272642.0 发明 2017/4/24 在受理 中国
硅片夹、检测装置及其检
175 201710244785.0 发明 2017/4/14 在受理 中国
测方法
一种多晶硅自动进料系统
176 201710254683.7 发明 2017/4/18 在受理 中国
及其方法
177 一种直拉单晶硅方法 201710188098.1 发明 2017/3/27 在受理 中国
178 晶圆表面平坦化方法 201710261391.6 发明 2017/4/20 在受理 中国
179 晶圆表面平坦化方法 201710262317.6 发明 2017/4/20 在受理 中国
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
一种减少晶片缺陷的设备
180 201710193119.9 发明 2017/3/28 在受理 中国
及方法
181 一种晶片吸杂方法 201710193120.1 发明 2017/3/28 在受理 中国
182 一种坩埚及制造方法 201710209422.3 发明 2017/3/31 在受理 中国
一种可用作挡片或控片的
183 201710208599.1 发明 2017/3/31 在受理 中国
晶片制备方法及晶片
一种半导体衬底的制作方
184 201710208601.5 发明 2017/3/31 在受理 中国
法
切割线材、切割机台以及
185 201710230087.5 发明 2017/4/10 在受理 中国
切割方法
186 一种调整装置及清洗机 201710368879.9 发明 2017/5/23 在受理 中国
187 硅片切割装置 201710272188.9 发明 2017/4/24 在受理 中国
188 等离子体发生装置 201710272198.2 发明 2017/4/24 在受理 中国
189 晶圆处理方法 201710254307.8 发明 2017/4/18 在受理 中国
190 一种硅片的干燥方法 201710350286.X 发明 2017/5/18 在受理 中国
191 圆表面处理装置及方法 201710304837.9 发明 2017/5/3 在受理 中国
基于伯努利原理的边缘研
192 磨基座、边缘研磨系统及 201710262320.8 发明 2017/4/20 在受理 中国
方法
193 伯努利吸盘 201710262327.X 发明 2017/4/20 在受理 中国
氧化硅生长系统、方法及
194 半导体测试结构的制作方 201710312425.X 发明 2017/5/5 在受理 中国
法
195 一种单晶提拉炉热场结构 201710356903.7 发明 2017/5/19 在受理 中国
一种带有水冷套的热屏组
196 201710357457.1 发明 2017/5/20 在受理 中国
件及单晶提拉炉热场结构
晶棒的测试方法以及晶棒
197 201710487582.4 发明 2017/6/23 在受理 中国
生长装置
冷却装置、单晶炉和晶棒
198 201710424211.1 发明 2017/6/7 在受理 中国
的冷却方法
199 晶圆顶针及其形成方法 201710525497.2 发明 2017/6/30 在受理 中国
200 衬底及其制作方法 201710406672.6 发明 2017/6/2 在受理 中国
201 石墨坩埚及其制造方法 201710412082.4 发明 2017/6/2 在受理 中国
202 石墨坩埚及其制造方法 201710406654.8 发明 2017/6/2 在受理 中国
203 目检装置 201710317403.2 发明 2017/5/5 在受理 中国
204 晶圆平坦度测量装置及晶
201710312102.0 发明 2017/5/5 在受理 中国
圆平坦度测量系统
205 一种硅单晶引晶结构及工
201710343971.X 发明 2017/5/16 在受理 中国
艺
206 支撑台、改善晶圆或外延
生长晶圆表面的顶针痕迹 201710439022.1 发明 2017/6/12 在受理 中国
的方法
207 分离式卡盘装置以及晶元
201710582457.1 发明 2017/7/17 在受理 中国
的研磨工艺
中联资产评估集团有限公司 第19页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
208 研磨台清洗装置及其清洗
201710586286.X 发明 2017/7/18 在受理 中国
方法
209 砂浆导液槽、砂浆供应装
201710370069.7 发明 2017/5/23 在受理 中国
置及晶圆切割系统
210 砂浆供应装置 201710375312.4 发明 2017/5/24 在受理 中国
211 一种半导体器件及其制造
201710534165.0 发明 2017/7/3 在受理 中国
方法、电子装置
212 一种半导体器件及其制造
201710485112.4 发明 2017/6/23 在受理 中国
方法、电子装置
213 衬托器、气相生长装置及
201710620096.5 发明 2017/7/26 在受理 中国
气相生长方法
214 气相生长装置及气相生长
201710620046.7 发明 2017/7/26 在受理 中国
方法
215 一种背面密封晶片的方法 201710537508.9 发明 2017/7/4 在受理 中国
216 一种背面密封晶片的方法 201710537506.X 发明 2017/7/4 在受理 中国
217 背面密封晶片的方法 201710538436.X 发明 2017/7/4 在受理 中国
218 晶片背面密封的方法 201710541857.8 发明 2017/7/4 在受理 中国
219 衬底支撑装置以及外延生
201710713577.0 发明 2017/8/18 在受理 中国
长设备
220 一种半导体晶圆最终抛光
201710641819.X 发明 2017/7/31 在受理 中国
后的清洗方法
221 一种半导体晶圆的最终抛
光机以及最终抛光及清洗 201710639489.0 发明 2017/7/31 在受理 中国
方法
222 一种半导体晶圆的清洗方
201710639479.7 发明 2017/7/31 在受理 中国
法
223 一种用于晶圆的目视检测
201710600948.4 发明 2017/7/21 在受理 中国
机及检测方法
224 一种 GaN 器件及其制造
201710587413.8 发明 2017/7/18 在受理 中国
方法、电子装置
225 一种半导体器件及其制造
201710587405.3 发明 2017/7/18 在受理 中国
方法、电子装置
226 改善外延硅片表面平坦度
201710868142.3 发明 2017/9/22 在受理 中国
的方法
227 一种 SiC 外延表面的预处
201710841324.1 发明 2017/9/18 在受理 中国
理及外延生长方法
228 一种 SiC 外延层的制备方
201710911736.8 发明 2017/9/29 在受理 中国
法及装置
229 一种调控掺杂浓度的 SiC
201711024669.4 发明 2017/10/27 在受理 中国
生长方法及装置
230 一种晶圆寻边装置 201710802096.7 发明 2017/9/7 在受理 中国
231 一种抛光盘基座、抛光
盘、抛光机以及最终抛光 201710829117.4 发明 2017/9/14 在受理 中国
方法
232 一种晶圆及其制造方法、
201710780544.8 发明 2017/9/1 在受理 中国
电子装置
233 一种晶圆载具及用于操作
201710867571.9 发明 2017/9/22 在受理 中国
所述晶圆载具的机械手
中联资产评估集团有限公司 第20页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
234 一种硅片的处理方法 201711271080.4 发明 2017/12/5 在受理 中国
235 一种晶圆承载装置 201710823944.2 发明 2017/9/13 在受理 中国
236 一种硅片少子寿命的测试
201710833597.1 发明 2017/9/15 在受理 中国
方法及测试装置
237 一种硅片少子寿命的测试
201710859782.8 发明 2017/9/21 在受理 中国
装置
238 一种晶棒的切割方法及切
201710792762.3 发明 2017/9/5 在受理 中国
割装置
239 一种用于预清洗机的水道
装置、预清洗机以及预清 201710839318.2 发明 2017/9/15 在受理 中国
洗方法
240 抛光设备及方法 201711047198.9 发明 2017/10/31 在受理 中国
241 一种抛光设备 201711049908.1 发明 2017/10/31 在受理 中国
242 晶圆清洗方法及清洗装置 201711173925.6 发明 2017/11/22 在受理 中国
243 一种硅片批量清洗干燥方
201711173913.3 发明 2017/11/22 在受理 中国
法及装置
244 快速热处理装置及方法 201711237366.0 发明 2017/11/30 在受理 中国
245 一种晶片及其制造方法、
201711192027.5 发明 2017/11/24 在受理 中国
电子装置
246 一种长晶炉及长晶炉的水
201711160854.6 发明 2017/11/20 在受理 中国
冷套
247 一种用于长晶的坩埚装置 201711160851.2 发明 2017/11/20 在受理 中国
248 一种拉晶系统和拉晶方法 201711176669.6 发明 2017/11/22 在受理 中国
249 一种拉晶系统和拉晶方法 201711174291.6 发明 2017/11/22 在受理 中国
250 热屏及单晶硅生长炉结构 201711368190.2 发明 2017/12/18 在受理 中国
251 热屏及单晶硅生长炉结构 201711368216.3 发明 2017/12/18 在受理 中国
252 热屏及单晶硅生长炉结构 201711365658.2 发明 2017/12/18 在受理 中国
253 一种硅片测试台 201810247686.2 发明 2018/3/23 在受理 中国
254 一种晶圆夹持机械手臂及
201810338638.4 发明 2018/4/16 在受理 中国
其清洗晶圆的方法
255 一种用于晶体直径测量的
201810084837.7 发明 2018/1/29 在受理 中国
自动校准方法及校准系统
256 一种拉晶系统 201810059354.1 发明 2018/1/22 在受理 中国
257 一种改善外延片污染印记
201810061254.2 发明 2018/1/22 在受理 中国
的方法
258 一种半导体薄膜平坦度改
201810058937.2 发明 2018/1/22 在受理 中国
善的方法
259 外延炉冷却系统及冷却方
201810747275.X 发明 2018/7/9 在受理 中国
法
260 一种应用于单晶炉的冷却
201810804122.4 发明 2018/7/20 在受理 中国
装置及单晶炉
261 一种拉晶炉 201810806334.6 发明 2018/7/20 在受理 中国
262 硅片的返工系统及方法 201810821335.8 发明 2018/7/24 在受理 中国
中联资产评估集团有限公司 第21页
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上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
263 外延片的制备方法 201810835104.2 发明 2018/7/26 在受理 中国
264 研磨平台及研磨设备 201810836382.X 发明 2018/7/26 在受理 中国
265 基于模拟方式获得外延度
201810837465.0 发明 2018/7/26 在受理 中国
的方法
266 外延基座及外延设备 201810903652.4 发明 2018/8/9 在受理 中国
267 长晶炉校验系统和长晶炉
201810997982.4 发明 2018/8/29 在受理 中国
校验方法
268 外延灯管辅助检测装置及
201811169153.3 发明 2018/10/8 在受理 中国
其检测方法
269 一种校准外延腔温度的方
201811253222.9 发明 2018/10/25 在受理 中国
法
270 一种单晶硅晶棒的长晶方
201811267643.7 发明 2018/10/29 在受理 中国
法
271 一种单晶硅晶棒的长晶方
201811267664.9 发明 2018/10/29 在受理 中国
法
272 一种晶体生长控制方法、
装置、系统及计算机存储 201811272388.5 发明 2018/10/29 在受理 中国
介质
273 一种晶体生长控制方法、
装置、系统及计算机存储 201811272682.6 发明 2018/10/29 在受理 中国
介质
274 一种直拉法引晶方法 201811308065.7 发明 2018/11/5 在受理 中国
275 一种晶体生长控制方法、
装置、系统及计算机存储 201811330586.2 发明 2018/11/8 在受理 中国
介质
276 一种单晶生长炉的反射屏
201811340095.6 发明 2018/11/12 在受理 中国
及单晶生长炉
277 一种晶体生长炉的导流筒
201811472539.1 发明 2018/12/4 在受理 中国
和晶体生长炉
278 一种晶棒切片方法 201811477262.1 发明 2018/12/5 在受理 中国
279 一种晶棒切片装置 201811477274.4 发明 2018/12/5 在受理 中国
280 一种晶棒切片装置 201811477279.7 发明 2018/12/5 在受理 中国
281 一种晶棒切片装置和方法 201811477291.8 发明 2018/12/5 在受理 中国
282 一种晶棒切片装置 201811477368.1 发明 2018/12/5 在受理 中国
283 晶圆盒放置架及晶圆存储
201811518717.X 发明 2018/12/12 在受理 中国
柜
284 晶圆盒检测系统及晶圆出
201811518729.2 发明 2018/12/12 在受理 中国
货管理方法
285 一种晶圆测试装置和方法 201811520405.2 发明 2018/12/12 在受理 中国
286 一种晶圆夹持机械手臂组
201811521689.7 发明 2018/12/13 在受理 中国
件
287 晶圆基座安装工具 201811525648.5 发明 2018/12/13 在受理 中国
288 分体式导流筒 201811525881.3 发明 2018/12/13 在受理 中国
289 加热式导流筒 201811527817.9 发明 2018/12/13 在受理 中国
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
290 一种树脂垫板及半导体晶
201821631102.3 实用新型 2018/10/8 在受理 中国
体切割机
291 - 201910182532.4 发明 2019/3/12 在受理 中国
292 - 201910182531.X 发明 2019/3/12 在受理 中国
293 - 201920066642.X 实用新型 2019/1/15 在受理 中国
294 - 201910156340.6 发明 2019/3/1 在受理 中国
295 - 201910181965.8 发明 2019/3/11 在受理 中国
296 - 201910151553.X 发明 2019/2/28 在受理 中国
297 - 201910181545.X 发明 2019/3/11 在受理 中国
298 - 201910104706.5 发明 2019/2/1 在受理 中国
299 晶棒结构 201920776775.6 实用新型 2019/5/27 在受理 中国
300 固定连接部、研磨头组件
201910347208.3 发明 2019/4/28 在受理 中国
及抛光设备
301 一种晶体生长装置 201920645452.3 实用新型 2019/4/30 在受理 中国
302 提高晶圆抛光平坦度的方
201910402705.9 发明 2019/5/15 在受理 中国
法及硅片加工方法
303 - 201910329242.8 发明 2019/4/23 在受理 中国
304 - 201910363973.4 发明 2019/4/30 在受理 中国
305 - 201910362435.3 发明 2019/4/30 在受理 中国
306 - 201910402699.7 发明 2019/5/15 在受理 中国
307 - 201910357352.5 发明 2019/4/29 在受理 中国
308 - 201910734324.0 发明 2019/8/9 在受理 中国
309 - 201910488829.3 发明 2019/6/6 在受理 中国
310 - 201910913689.X 发明 2019/9/25 在受理 中国
311 - 201910527023.0 发明 2019/6/18 在受理 中国
312 - 201910527727.8 发明 2019/6/18 在受理 中国
313 - 201910527014.1 发明 2019/6/18 在受理 中国
314 - 201910527728.2 发明 2019/6/18 在受理 中国
315 - 201910860775.9 发明 2019/9/11 在受理 中国
316 集尘罐、单晶生长设备及
201910671773.5 发明 2019/7/24 在受理 中国
单晶生长方法
317 一种用于晶体生长的坩埚
201910841934.0 发明 2019/9/6 在受理 中国
底座装置
318 清洗槽及修整器清洗系统 201921171920.4 实用新型 2019/7/24 在受理 中国
319 一种硅单晶的生长方法 201910899811.2 发明 2019/9/23 在受理 中国
320 一种晶体生长装置 201910860777.8 发明 2019/9/11 在受理 中国
321 一种晶体生长装置 201910860787.1 发明 2019/9/11 在受理 中国
322 一种晶体生长装置 201910859971.4 发明 2019/9/11 在受理 中国
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
323 一种晶棒切割装置和方法 201910636557.7 发明 2019/7/15 在受理 中国
324 治具 201921572072.8 实用新型 2019/9/20 在受理 中国
325 清洗槽及修整器清洗系统 201921572089.3 实用新型 2019/9/20 在受理 中国
326 清洗槽及修整器清洗系统 201921572087.4 实用新型 2019/9/20 在受理 中国
327 外延层的形成方法 201510658742.8 发明 2015/10/15 在受理 中国
328 晶圆的形成方法 201510659200.2 发明 2015/10/13 在受理 中国
329 真空管闪存结构及其制造
201510658550.7 发明 2015/10/12 在受理 中国
方法
330 单晶硅锭及晶圆的形成方
201510667035.5 发明 2015/10/15 在受理 中国
法
331 CMOS 结构及其制备方法 201510683929.3 发明 2015/10/20 在受理 中国
332 量子阱器件及其形成方法 201510707751.1 发明 2015/10/27 在受理 中国
333 量子阱器件及其形成方法 201510707771.9 发明 2015/10/27 在受理 中国
334 单晶硅的生长方法及其制
201610120860.8 发明 2016/3/3 在受理 中国
备的单晶硅锭
335 石墨烯场效应晶体管及其
201610173589.4 发明 2016/3/24 在受理 中国
制造方法
336 降低预抽腔体中芯片温度
201610218416.X 发明 2016/4/8 在受理 中国
的方法及芯片降温装置
337 区熔法生长硅单晶用气体
喷射与射频加热一体装置 201610140082.9 发明 2016/3/11 在受理 中国
及方法
338 单晶硅锭及晶圆的形成方
201610224914.5 发明 2016/4/12 在受理 中国
法
339 伯努利基座 201610278821.0 发明 2016/4/28 在受理 中国
340 纳米线半导体器件及其制
201610150107.3 发明 2016/3/16 在受理 中国
造方法
341 一种激光退火装置及激光
201610334207.1 发明 2016/5/19 在受理 中国
退火方法
342 一种晶圆的精抛光方法 201610331501.7 发明 2016/5/18 在受理 中国
343 刻蚀方法、刻蚀装置及半
201610778104.4 发明 2016/8/30 在受理 中国
导体晶圆分割方法
344 超导带及其制造方法 201610985266.5 发明 2016/10/25 在受理 中国
345 一种复合石墨烯超导带材
201710209379.0 发明 2017/3/31 在受理 中国
结构及其制备方法
346 一种复合碳纳米管超导芯
201710209378.6 发明 2017/3/31 在受理 中国
线材结构及其制备方法
347 真空管快闪记忆体结构与
I556413 2016.11.1 2036.3.9 授权 台湾
其制造方法
348 量子阱装置及其形成方法 I569337 2017.2.1 2036.3.2 授权 台湾
349 高压无接面场效应元件及
I565007 2017.1.1 2036.3.9 授权 台湾
其形成方法
350 垂直真空密封奈米碳管場
I569314 2017.2.1 2036.6.6 授权 台湾
效電晶體及其製造方法
中联资产评估集团有限公司 第24页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
351 鳍状场效电晶体及其制备
I573182 2017.2.1 2036.6.6 授权 台湾
方法
352 石英腔體的固定治具及清
M536241 2017.2.1 2026.11.3 授权 台湾
洗裝置
353 SOI 基底及其製備方法 I587446 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
354 晶圓的形成方法 I593023 2016/3/8 2016/3/8 授权 台湾
355 半導體結構及其形成方法 I594335 2016/3/7 2016/3/7 授权 台湾
356 垂直電晶體及其至製備方
I599038 2016/3/14 2036/3/13 授权 台湾
法
357 單晶矽晶錠及晶圓的形成
I589737 2016/3/14 2016/3/14 授权 台湾
方法
358 場效電晶體及其製備方法 I578532 2016/3/11 2016/3/11 授权 台湾
359 CMOS 結構其製備方法 I596708 2016/1/25 2016/1/25 授权 台湾
360 絕緣體上三五族化合物基
I590307 2017/7/1 2037/6/30 授权 台湾
板的製備方法
361 量子阱元件及其形成方法 I578531 2017/4/11 2037/4/10 授权 台湾
362 高壓無接面場效元件及其
I588944 2017/6/21 2037/6/20 授权 台湾
製造方法
363 雙通道 FinFET 元件及其
I587504 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
製造方法
364 具有漂移區和漸變通道的
高壓無接面場效應元件及 I587404 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
其形成方法
365 互補奈米線半導體元件及
I585832 2017/6/1 2037/5/31 授权 台湾
其製造方法
366 全密封真空奈米碳管場效
I594307 2017/8/1 2037/7/31 授权 台湾
電晶體及其製造方法
367 晶圓熱處理的方法(二) I585250 2017/6/1 2037/5/31 授权 台湾
368 單晶矽之成長方法及其製
I577841 2017/4/11 2037/4/10 授权 台湾
備之單晶矽錠（二）
369 絕緣層上覆矽基板及其製
I592987 2017/7/21 2037/7/20 授权 台湾
造方法
370 真空管快閃記憶體結構之
I569420 2017/2/1 2037/1/31 授权 台湾
製造方法
371 半導體結構及其形成方法 I587371 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
372 液晶顯示器面板及其畫素
I589974 2017/7/1 2037/6/30 授权 台湾
單元的製備方法
373 真空管快閃記憶體結構
I590389 2017/7/1 2037/6/30 授权 台湾
之製造方法
374 提高矽晶片磊晶層表面平
I600071 2016/9/10 2036/9/9 授权 台湾
整度之方法
375 微電子結構及其形成方
I600164 2016/9/23 2036/9/22 授权 台湾
法(一)
376 雙閘極石墨烯場效電晶體
I591729 2017/7/11 2037/7/10 授权 台湾
及其製造方法
377 降低預抽腔體中晶片溫
I576970 2017/4/1 2037/3/31 授权 台湾
度的方法及晶片降溫裝置
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
378 表面聲波裝置的製造方法
I594469 2017/8/1 2037/7/31 授权 台湾
及溫度檢測設備
379 區熔法生長單晶矽用氣體
噴射與射頻加熱一體裝置 I592523 2017/7/21 2037/7/20 授权 台湾
及方法
380 晶圓控片及其製造方法 I600070 2016/9/9 2036/9/8 授权 台湾
381 真空奈米管場效電晶體及
I589004 2017/6/21 2037/6/20 授权 台湾
其製造方法
382 熔體設備的保護裝置 I592528 2017/7/21 2037/7/20 授权 台湾
383 一種低溫磊晶方法及裝置 I591699 2017/7/11 2037/7/10 授权 台湾
384 一種半導體晶圓的拋光方
I596668 2017/4/27 2037/4/26 授权 台湾
法
385 一種奈米線記憶體結構及
I587488 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
其製造方法
386 半導體結構及其形成方法 I605524 2016/3/8 2036/3/7 授权 台湾
387 互補金氧半場效電晶體及
I604604 2016/3/8 2036/3/7 授权 台湾
其製備方法
388 絕緣層上覆矽基板及其製
I611462 2016/6/15 2036/6/14 授权 台湾
造方法
389 製造石墨烯場效電晶體之
I604535 2016/10/7 2036/10/6 授权 台湾
方法
390 減少磊晶晶圓缺陷的形成
I608539 2016/9/14 2036/9/13 授权 台湾
方法
391 單晶矽錠及晶圓的形成方
105126283 2016/8/17 2036/8/16 授权 台湾
法
392 真空奈米管場效電晶體及
I598963 2016/9/21 2036/9/20 授权 台湾
其製造方法
393 石英腔体的清洗裝置及清
105135140 2016/10/28 2036/10/27 授权 台湾
洗方法
394 機械手臂及基板的抓取方
I610397 2016/11/17 2036/11/16 授权 台湾
法
395 晶圓的雙面拋光方法 105133111 2016/10/13 2036/10/12 授权 台湾
396 一種單晶矽生長爐 105136949 2016/11/11 2036/11/10 授权 台湾
397 一種基於奈米線的高電子
遷移率電晶體及其製作方 I607961 2016/11/29 2036/11/28 授权 台湾
法
398 一種形成氧化層和磊晶層
I608133 2016/12/2 2036/12/1 授权 台湾
的方法
399 在石英坩堝中製備矽熔融
I609997 2016/12/14 2036/12/13 授权 台湾
體的方法
400 晶圓片架的取放片裝置 I604557 2017/1/23 2037/1/22 授权 台湾
401 一種晶圓薄化方法及裝置 I602233 2016/12/21 2036/12/20 授权 台湾
402 一種晶圓薄化方法及薄化
I602217 2016/12/23 2036/12/22 授权 台湾
的晶圓結構
403 一種蝕刻裝置及半導體晶
I602226 2017/2/10 2037/2/9 授权 台湾
圓分割方法
404 一種奈米管記憶體結構及
I611563 2017/1/4 2037/1/3 授权 台湾
其製造方法
中联资产评估集团有限公司 第26页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
405 白努利效應的底座及磊晶
105143707 2016/12/28 2036/12/27 授权 台湾
設備
406 晶圓表面平坦度測量系統 106115519 2017/5/10 2037/5/9 授权 台湾
407 磊晶层的形成方法 105106530 2016/3/3 2036/3/2 授权 台湾
408 矽單晶棒回收裝置、矽單
晶棒回收方法、以及液氮 105107085 2016/3/8 2036/3/7 授权 台湾
供應裝置
409 單晶矽晶錠及晶圓的形成
105106935 2016/3/7 2036/3/6 授权 台湾
方法
410 單晶矽錠及晶圓的形成方
105118435 2016/6/13 2036/6/12 授权 台湾
法
411 晶圓熱處理的方法(一) 105113326 2016/4/28 2036/4/27 授权 台湾
412 絕緣層上覆矽基板及其製
105118982 2016/6/16 2036/6/15 授权 台湾
造方法
413 微電子結構及其形成方
105130895 2016/9/23 2036/9/22 授权 台湾
法
414 降低預抽腔體中晶片溫
105125812 2016/8/12 2036/8/11 授权 台湾
度的方法及晶片降溫裝置
415 减少磊晶晶圓缺陷的形成
105125356 2016/8/9 2036/8/8 授权 台湾
方法
416 白努利基座裝置及沉積設
105127147 2016/8/24 2036/8/23 授权 台湾
備
417 晶圓金屬污染的評估方
105128040 2016/8/31 2036/8/30 授权 台湾
法
418 基板的抓取裝置及其抓取
105139540 2016/11/30 2036/11/29 授权 台湾
方法
419 一種雷射退火裝置及雷射
105133605 2016/10/18 2036/10/17 授权 台湾
退火方法
420 磊晶生長方法 105138314 2016/11/22 2036/11/21 授权 台湾
421 晶圓的拋光方法 105133329 2016/10/14 2036/10/13 授权 台湾
422 環閘極 III-V 族量子井電
晶體及鍺無接面電晶體及 105132263 2016/10/5 2036/10/4 授权 台湾
其製造方法
423 一種溶劑混和器 105136725 2016/11/10 2036/11/9 授权 台湾
424 半導體晶片濕式清洗設備 105139753 2016/12/1 2036/11/30 授权 台湾
425 柴氏拉晶法生長單晶矽的
105141270 2016/12/13 2036/12/12 授权 台湾
方法
426 一種記憶體結構及其製備
105143229 2016/12/26 2036/12/25 授权 台湾
方法
427 拉晶爐的拉晶機構 106100763 2017/1/10 2037/1/9 授权 台湾
428 一種減少自摻雜的底座及
106102643 2017/1/24 2037/1/23 授权 台湾
磊晶設備
429 溫度傳感器及測溫方法 106101936 2017/1/19 2037/1/18 授权 台湾
430 熱屏組件及單晶提拉爐
106100335 2017/1/5 2037/1/4 授权 台湾
熱場結構
431 新型加熱器及單晶提拉爐
106101062 2017/1/12 2037/1/11 授权 台湾
熱場結構
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
432 顯示螢幕的保護層、顯示
106105997 2017/2/22 2037/2/21 授权 台湾
螢幕、及其形成方法
433 拉晶爐 106105999 2017/2/22 2037/2/21 授权 台湾
434 籽晶夾頭及直拉單晶爐 106101596 2017/1/17 2037/1/16 授权 台湾
435 互補式金屬氧化物半導體
106107272 2017/3/6 2037/3/5 授权 台湾
元件的製造方法
436 浮熔帶法生長晶體的設備
106120429 2017/6/19 2037/6/18 授权 台湾
及方法
437 自動進料系統及進料方法 106107635 2017/3/8 2037/3/7 授权 台湾
438 晶片放置裝置和晶片定向
106123085 2017/7/10 2037/7/9 授权 台湾
儀
439 真空管場效電晶體陣列及
106117058 2017/5/23 2037/5/22 授权 台湾
其製造方法
440 基於水平雷射照射的晶圓
106123084 2017/7/10 2037/7/9 授权 台湾
減薄設備及方法
441 晶圓傳片結構 106121312 2017/6/26 2037/6/25 授权 台湾
442 一種 OLED 結構及其製作
106122285 2017/7/3 2037/7/2 授权 台湾
方法
443 監測基座溫度均勻性的方
105118438 2016/6/13 2036/6/12 授权 台湾
法
444 鰭狀場效電晶體及其製備
105118647 2016/6/14 2036/6/13 授权 台湾
方法
445 石墨烯場效電晶體及其製
105124833 2016/8/4 2036/8/3 授权 台湾
造方法
446 一種磊晶設備、設備製作
105143428 2016/12/27 2036/12/26 授权 台湾
方法及磊晶方法
447 校正晶片及其製造方法 106110385 2017/3/28 2037/3/27 授权 台湾
448 一種磊晶爐矽片基座 I633199 2017/8/23 2037/8/22 授权 台湾
449 拋光設備及檢測方法 106128610 2017/8/23 2037/8/22 授权 台湾
450 晶圓尋邊裝置 106145672 2017/12/26 2037/12/25 授权 台湾
451 監測基座溫度均勻性的方
105118035 2016/6/7 2036/6/6 授权 台湾
法
452 單晶矽之成長方法及其製
105113342 2016/4/28 2036/4/27 授权 台湾
備之單晶矽錠（一）
453 磊晶生長設備 105135781 2016/11/3 2036/11/2 授权 台湾
454 蝕刻方法、蝕刻裝置及半
106103855 2017/2/6 2037/2/5 授权 台湾
導體晶圓分割方法
455 半導體晶盒清洗乾燥儲存
106112992 2017/4/18 2037/4/17 授权 台湾
一體化方法及設備
456 一種基於負電容的環閘場
106105371 2017/2/17 2037/2/16 授权 台湾
效電晶體及其製作方法
457 一種化學機械拋光液及其
106115518 2017/5/10 2037/5/9 授权 台湾
製備方法
458 一種單晶爐 106104270 2017/2/9 2037/2/8 授权 台湾
459 摻雜氣體緩衝裝置、摻雜
106104271 2017/2/9 2037/2/8 授权 台湾
氣體供給裝置及方法
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上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
460 一種多晶矽二次加料裝置
106109608 2017/3/22 2037/3/21 授权 台湾
及方法
461 一種互補電晶體元件結構
106111938 2017/4/10 2037/4/9 授权 台湾
及其製作方法
462 半導體晶片濕法清洗設備 106109026 2017/3/17 2037/3/16 授权 台湾
463 改善晶圓表面切割形貌的
106121311 2017/6/26 2037/6/25 授权 台湾
線切割系統
464 帶有溢流腔的尾氣處理裝
106116182 2017/5/16 2037/5/15 授权 台湾
置
465 校正晶片及其製造方法 106111937 2017/4/10 2037/4/9 授权 台湾
466 超導帶及其製造方法 106110386 2017/3/28 2037/3/27 授权 台湾
467 碳化矽晶體(4H-SiC)生長
106118571 2017/6/5 2037/6/4 授权 台湾
方法
468 一種閘陣列無接面半導體
通道記憶體結構及其製備 106118146 2017/6/1 2037/5/31 授权 台湾
方法
469 一種無接面半導體通道閘
陣列記憶體結構及其製備 106120253 2017/6/16 2037/6/15 授权 台湾
方法
470 一種神經元電晶體結構及
106120431 2017/6/19 2037/6/18 授权 台湾
其製備方法
471 晶種固定夾及單晶提拉爐 106125956 2017/8/1 2037/7/31 授权 台湾
472 適用於單片式磊晶爐的分
106124966 2017/7/25 2037/7/24 授权 台湾
離式基座元件
473 一種後閘無接面反及閘快
106130196 2017/9/4 2037/9/3 授权 台湾
閃記憶體及其製作方法
474 分離式卡盤裝置以及晶圓
106140654 2017/11/23 2037/11/22 授权 台湾
的研磨製程
475 砂漿供應裝置 106132999 2017/9/26 2037/9/25 授权 台湾
476 承受器、氣相生長裝置及
106133459 2017/9/28 2037/9/27 授权 台湾
氣相生長方法
477 晶圓接合方法及其接合裝
106109607 2017/3/22 2037/3/21 授权 台湾
置
478 磁控去除矽化物顆粒的尾
106116181 2017/5/16 2037/5/15 授权 台湾
氣處理裝置
479 具有黑磷通道層的低接觸
電阻率 FinFET 及其製備 106117059 2017/5/23 2037/5/22 授权 台湾
方法
480 一種奈米碳管束場效電晶
106122286 2017/7/3 2037/7/2 授权 台湾
體陣列及其製造方法
481 一種半導體元件及其製造
106138860 2017/11/10 2037/11/9 授权 台湾
方法、電子裝置
482 氣相生長裝置及氣相生長
106133460 2017/9/28 2037/9/27 授权 台湾
方法
483 一種矽片少數載子壽命的
106145180 2017/12/22 2037/12/21 授权 台湾
測試方法及測試裝置
484 高壓無接面場效元件及其
105103631 2016/2/3 2036/2/2 授权 台湾
製造方法
中联资产评估集团有限公司 第29页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
485 互補奈米線半導體元件及
105118646 2016/6/14 2036/6/13 授权 台湾
其製備方法
486 液晶顯示器面板及其畫素
105131751 2016/9/30 2036/9/29 授权 台湾
單元的製備方法
487 磊晶設備腔室蓋板 105129864 2016/9/13 2036/9/12 授权 台湾
488 機械手臂的監控系統及其
105137319 2016/11/15 2036/11/14 授权 台湾
監控方法
489 半導體晶圓的拋光方法 106114154 2017/4/27 2037/4/26 授权 台湾
490 一種神經元電晶體結構及
106118147 2017/6/1 2037/5/31 授权 台湾
其製備方法
491 一種矽片製作方法 106126976 2017/8/9 2037/8/8 授权 台湾
492 碳化矽晶體切片移動設備
106124187 2017/7/19 2037/7/18 授权 台湾
及移動方法
493 一種基於雷射水射流的晶
106124970 2017/7/25 2037/7/24 授权 台湾
圓減薄設備及方法
494 宏觀畫痕長度測量裝置 106126978 2017/8/9 2037/8/8 授权 台湾
495 一種半導體元件及其製造
106141268 2017/11/28 2037/11/27 授权 台湾
方法、電子裝置
496 白努利基座裝置及沉積設
105126457 2016/8/18 在受理 台湾
備
497 白努利基座裝置及沉積設
105127316 2016/8/25 在受理 台湾
備
498 白努利基座 105129508 2016/9/10 在受理 台湾
499 晶盒清洗設備 105142807 2016/12/22 在受理 台湾
500 磊晶設備 105130220 2016/9/19 在受理 台湾
501 一種吸附材料、吸附裝置
105134156 2016/10/21 在受理 台湾
及製備方法
502 基於表面聲波的濕度感測
105134328 2016/10/24 在受理 台湾
器及其製備方法
503 晶圓支撐板組件、拋光裝
105138716 2016/11/24 在受理 台湾
置及晶圓精拋光方法
504 拋光液供應系統及方法 105138717 2016/11/24 在受理 台湾
505 專案任務分配方法、裝
置、電腦設備和專案管理 105141097 2016/12/12 在受理 台湾
系統
506 微波退火製備 3D NAND
106105373 2017/2/17 在受理 台湾
的方法
507 碳化矽晶體(4H-SiC)生長
106112994 2017/4/18 在受理 台湾
設備及方法
508 基於傅立葉轉換紅外光譜
106107275 2017/3/6 在受理 台湾
的特徵化設備
509 測量方法 106120252 2017/6/16 在受理 台湾
510 一種矽片研磨裝置及其研
106125952 2017/8/1 在受理 台湾
磨方法
511 支撐台、改善晶圓或磊晶
生長晶圓表面的頂針痕跡 106140655 2017/11/23 在受理 台湾
的方法
中联资产评估集团有限公司 第30页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
512 一種半導體晶圓的清洗方
106139281 2017/11/14 在受理 台湾
法
513 一種矽片少數載子壽命的
106145181 2017/12/22 在受理 台湾
測試方法及測試裝置
514 豎直插入式阻擋腳及白努
106127840 2017/8/16 在受理 台湾
利吸盤
515 拋光盤基座、拋光盤、拋
107110183 2018/3/26 在受理 台湾
光機以及最終拋光方法
516 一種晶棒的切割方法及切
107110439 2018/3/27 在受理 台湾
割裝置
517 用於預清洗機的水道裝
置、預清洗機以及預清洗 107101769 2018/1/18 在受理 台湾
方法
518 一种晶圆及其制造方法、
107103145 2018/1/30 在受理 台湾
电子装置
519 一種校準磊晶腔溫度的方
108117794 2019/5/23 在受理 台湾
法
520 一種晶體生長控制方法、
裝置、系統及電腦儲存媒 108120810 2019/6/17 在受理 台湾
體
521 一種單晶矽晶棒的長晶方
108118323 2019/5/28 在受理 台湾
法(一)
522 一種單晶矽晶棒的長晶方
108118371 2019/5/28 在受理 台湾
法(二)
523 一種單晶生長爐的反射屏
108119302 2019/6/4 在受理 台湾
及單晶生長爐
524 一種晶體生長控制方法、
裝置、系統及電腦儲存媒 108121630 2019/6/21 在受理 台湾
體
525 奈米線半導體元件及其製
105127931 2016/8/30 在受理 台湾
造方法
526 石英腔体的清洗方法 105134611 2016/10/26 在受理 台湾
527 低溫磊晶方法及設備 105132931 2016/10/12 在受理 台湾
528 基於二維電子氣的低功耗
105133765 2016/10/19 在受理 台湾
氫氣感測器及其製造方法
529 線切割砂漿供應系統及方
105138950 2016/11/25 在受理 台湾
法
530 坩堝、坩堝的製備方法及
碳化矽晶體(4H-SiC)的生 106109027 2017/3/17 在受理 台湾
長方法
531 單晶生長爐熱屏及其製造
106107636 2017/3/8 在受理 台湾
方法
532 晶棒線切割裝置及晶棒線
106118572 2017/6/5 在受理 台湾
切割方法
533 碳化矽晶體切片設備及切
106124189 2017/7/19 在受理 台湾
片方法
534 研磨台清洗裝置及其清洗
106141267 2017/11/28 在受理 台湾
方法
535 一種半導體元件及其製造
106138701 2017/11/9 在受理 台湾
方法、電子裝置
中联资产评估集团有限公司 第31页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
536 METHOD FOR MAKING
III-V NANOWIRE
15/161,504 发明 2015/10/15 2035/10/14 授权 美国
QUANTUM WELL
TRANSISTOR
537 High voltage junetionless
field effect device and its 15/012,873 发明 2015/11/6 2035/11/5 授权 美国
method of fabrication
538 Vertical transistor and the
15/003,809 发明 2016/1/22 2036/1/21 授权 美国
fabrication methods
539 METHOD OF
PREPARATION OF III-V
COMPOUND LAYER ON
15/067,192 发明 2016/3/11 2036/3/10 授权 美国
LARGE AREA SI
INSULATING
SUBSTRATE
540 SOI STRUCTURE AND
15/067,196 发明 2016/3/11 2036/3/10 授权 美国
FABRICATION METHOD
541 THERMAL PROCESSING
15/268,006 发明 2016/9/16 2036/9/15 授权 美国
METHOD FOR WAFER
542 "COMPLEMENTARY
NANOWIRE
SEMICONDUCTOR
DEVICE AND
543 FABRICATION METHOD
THEREOF
544 " 15/268,164 发明 2016/9/16 2036/9/15 授权 美国
545 FINFET AND
FABRICATION METHOD 15/270,966 发明 2016/9/20 2036/9/19 授权 美国
THEREOF
546 FINFET AND
MANUFACTURING 15/270,992 发明 2016/9/20 2036/9/19 授权 美国
METHOD THEREOF
547 Metal-ONO-Vacuum Tube
Charge Trap Flash
(VTCTF) Nonvolatile 15/202,418 发明 2016/7/5 2036/7/4 授权 美国
Memory and the method
for making the same
548 HYBRID INTEGRATION
FABRICATION OF
NANOWIRE GATE-ALL-
15/157,421 发明 2016/5/18 2036/5/17 授权 美国
AROUND GE PFET AND
POLYGONAL III-V PFET
CMOS DEVICE
549 A High-voltage
Junctionless Device with
Drift Region and the 15/012,864 发明 2016/2/2 2036/2/1 授权 美国
Method for Making the
Same
550 THERMAL PROCESSING
15/198,706 发明 2016/6/30 2036/6/29 授权 美国
METHOD FOR WAFER
551 METHOD FOR
GROWING
MONOCRYSTALLINE
SILICON AND 15/198,893 发明 2016/6/30 2036/6/29 授权 美国
MONOCRYSTALLINE
SILICON INGOT
PREPARED THEREOF
中联资产评估集团有限公司 第32页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
552 METHOD FOR MAKING
III-V NANOWIRE
15/452,764 发明 2017/3/8 2037/3/7 授权 美国
QUANTUM WELL
TRANSISTOR
553 COMPLEMENTARY
METAL-OXIDE-
SEMICONDUCTOR
15/166,076 发明 2016/5/26 2036/5/25 授权 美国
FIELD-EFFECT
TRANSISTOR AND
METHOD THEREOF
554 "COMPLEMENTARY
NANOWIRE
SEMICONDUCTOR
DEVICE AND
555 FABRICATION METHOD
THEREOF
556 " 15/587,484 发明 2017/5/5 2037/5/4 授权 美国
557 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 15/415,609 发明 2017/1/25 2037/1/24 授权 美国
METHOD THEREOF
558 Metal-ONO-Vacuum Tube
Charge Trap Flash
(VTCTF) Nonvolatile 15/783,115 发明 2017/10/13 2037/10/12 授权 美国
Memory and the method
for making the same
559 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 15/198,805 发明 2016/6/30 2036/6/29 授权 美国
METHOD THEREOF
560 METHOD FOR
GROWING
MONOCRYSTALLINE
SILICON AND 15/268,083 发明 2016/9/16 2036/9/15 授权 美国
MONOCRYSTALLINE
SILICON INGOT
PREPARED THEREOF
561 METHOD FOR
FORMING EPITAXIAL 15/134,722 发明 2016/4/21 在受理 美国
LAYER
562 METHOD FOR
15/178,041 发明 2016/6/9 在受理 美国
FORMING WAFER
563 VACUUM TUBE
NONVOLATILE
MEMORY AND THE 15/161,442 发明 2016/5/23 在受理 美国
METHOD FOR MAKING
THE SAME
564 SEMICONDUCTOR
STRUCTURE AND
15/161,472 发明 2016/5/23 在受理 美国
FORMING METHOD
THEREOF
565 SEMICONDUCTOR
STRUCTURE AND
15/166,032 发明 2016/5/26 在受理 美国
METHOD FOR
FORMING THE SAME
566 METHOD FOR
FORMING
MONOCRYSTALLINE 15/165,937 发明 2016/5/26 在受理 美国
SILICON INGOT AND
WAFER
中联资产评估集团有限公司 第33页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
567 Method for forming
monocrystalline silicon 15/178,080 发明 2016/6/9 在受理 美国
ingot and wafers
568 COMS Structure and
15/004,245 发明 2016/1/22 在受理 美国
fabrication Method thereof
569 SOI STRUCTURE AND
15/166,015 发明 2016/5/26 在受理 美国
FABRICATION METHOD
570 Vertical transistor and the
15/491,985 发明 2017/4/20 在受理 美国
fabrication methods
571 Method For Formation Of
VerticalL Cylindrical GaN 15/077,867 发明 2016/3/22 在受理 美国
Quantum Well Transistor
572 Method For Formation Of
VerticalL Cylindrical GaN 15/491,988 发明 2017/4/20 在受理 美国
Quantum Well Transistor
573 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 15/258,899 发明 2016/9/7 在受理 美国
METHOD THEREOF
574 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 15/268,222 发明 2016/9/16 在受理 美国
METHOD THEREOF
575 SEMICONDUCTOR
STRUCTURE AND
15/271,029 发明 2016/9/20 在受理 美国
METHOD FOR
FORMING THE SAME
576 HYBRID INTEGRATION
FABRICATION OF
NANOWIRE GATE-ALL-
15/491,989 发明 2017/4/20 在受理 美国
AROUND GE PFET AND
POLYGONAL III-V PFET
CMOS DEVICE
577 METHOD FOR
GROWING
MONOCRYSTALLINE
15/392,118 发明 2016/12/28 在受理 美国
SILICON BY USING
CZOCHRALSKI
METHOD
578 COMPLEMENTARY
METAL-OXIDE-
SEMICONDUCTOR
15/836,399 发明 2017/12/8 在受理 美国
FIELD-EFFECT
TRANSISTOR AND
METHOD THEREOF
579 A SLICING METHOD
AND A SLICING
16/109,912 发明 2018/8/23 在受理 美国
APPARATUS FOR AN
INGOT
580 METHOD FOR
GROWING
MONOCRYSTALLINE
SILICON AND 10-2016-0098817 发明 2016/8/3 2036/8/2 授权 韩国
MONOCRYSTALLINE
SILICON INGOT
PREPARED THEREOF
581 METHOD FOR
10-2016-0122782 发明 2016/9/26 2036/9/25 授权 韩国
FORMING WAFER
582 METHOD FOR
10-2016-0092662 发明 2016/7/21 2036/7/20 授权 韩国
FORMING
中联资产评估集团有限公司 第34页
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利类别 有效起日期 有效止日期 法律状态 申请国
MONOCRYSTALLINE
SILICON INGOT AND
WAFER
583 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 10-2017-0023070 发明 2017/2/21 2037/2/20 授权 韩国
METHOD THEREOF
584 Method for forming
monocrystalline silicon 10-2016-0122925 发明 2016/9/26 2036/9/25 授权 韩国
ingot and wafers
585 SOI STRUCTURE AND
10-2016-0123796 发明 2016/9/27 2036/9/26 授权 韩国
FABRICATION METHOD
586 METHOD FOR
FORMING EPITAXIAL 10-2016-0085551 发明 2016/7/6 在受理 韩国
LAYER
587 THERMAL PROCESSING
10-2017-0022621 发明 2017/2/21 在受理 韩国
METHOD FOR WAFER
588 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 10-2017-0023836 发明 2017/2/23 在受理 韩国
METHOD THEREOF
589 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 10-2017-0023872 发明 2017/2/23 在受理 韩国
METHOD THEREOF
590 ウエハ形成方法 2016-123427 发明 授权 日本
591 単結晶シリコソイソゴツ
トあよびウエーハの形成 2016-115362 发明 授权 日本
方法
592 SOI 構造および製造方法 2016-108526 发明 授权 日本
593 単結晶シリコンを成長さ
2016-137621 发明 授权 日本
せる方法
594 SOI 基板及びそよ製造方
2016-139399 发明 授权 日本
法→SOI 基板の製造方法
595 エピタキシャル層を形成
2016-098691 发明 在受理 日本
する方法
596 単結晶シリコソイソゴツ
2016-123431 发明 在受理 日本
ト及びウエハの形成方法
597 ウエハの熱処理方法 2016-146182 发明 在受理 日本
598 SOI 基板及びそよ製造方
2016-186873 发明 在受理 日本
法
599 SOI 基板及びそよ製造方
2016-186878 发明 在受理 日本
法
600 Verfahren zur Ausbukdung
102016113402.3 发明 在受理 德国
einer Epitaxialschicht
601 Method for forming wafer 102016115524.1 发明 在受理 德国
602 Method for forming
monocrystallinne silicon 102016115518.7 发明 在受理 德国
ingot and wafer
603 Method for forming
monocrystallinne silicon 102016118224.9 发明 在受理 德国
ingot and wafers
604 SOI Structureand
102016118509.4 发明 在受理 德国
fabrication method
605 THERMAL PROCESSING
102016114940.3 发明 在受理 德国
METHOD FOR WAFER
中联资产评估集团有限公司 第35页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
（注：暂未填写名称的专利，为申请未提前公开，仍处于保密阶段的专利）
(五)企业申报的表外资产的类型、数量
截止评估基准日，本次评估范围内被评估企业申报的表外资产为专利
及专利申请权共 605 项，具体清单详见上文。
(六)引用其他机构出具的报告的结论所涉及的资产类型、数量和账面
金额
本次评估报告中基准日各项资产及负债账面值系包括在经普华永道
审计的上海硅产业集团股份有限公司合并报表范围内（普华永道中天审字
(2019)第 11056 号）。除此之外，未引用其他机构报告内容。
四、价值类型及其定义
依据本次评估目的，确定本次评估的价值类型为市场价值。
市场价值是指自愿买方和自愿卖方在各自理性行事且未受任何强迫
的情况下，评估对象在评估基准日进行正常公平交易的价值估计数额。
五、评估基准日
1.本项目资产评估的基准日是2019年9月30日；
2.评估基准日是由委托人在综合考虑实现经济行为的需要、被评估单
位的资产规模、工作量大小、预计所需时间、合规性要求，以及会计期末
提供资料的便利和评估基准日前后利率和汇率的稳定，与评估基准日与经
济行为实现日尽可能接近等因素后确定；
3.本次评估采用的价格均为评估基准日有效的价格标准。
中联资产评估集团有限公司 第36页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
六、评估依据
本次资产评估遵循的评估依据主要包括经济行为依据、法律法规依据、
评估准则依据、资产权属依据及评定估算时采用的取价依据和其他参考资
料等，具体如下：
(一)经济行为依据
上海新昇半导体科技有限公司《临时董事会会决议》（2020临董002号）。
(二)法律法规依据
1.《中华人民共和国资产评估法》(中华人民共和国主席令第46号)；
2.《中华人民共和国公司法》(2013年修订)；
3.《中华人民共和国企业所得税法》(中华人民共和国第十届全国代
表大会第五次会议于2007年3月16日通过)；
4.《中华人民共和国企业所得税法实施条例》(2007年11月28日国务
院第197次常务会议通过)；
5.《中华人民共和国增值税暂行条例》(国务院令第538号)；
6.《中华人民共和国增值税暂行条例实施细则》(财政部、国家税务总
局令第50号)；
7.《企业国有资产评估管理暂行办法》国务院国有资产监督管理委员
会令第12号(2005年8月25日)；
8.《企业国有资产监督管理暂行条例》(2011修订)；
9.《关于加强企业国有资产评估管理工作有关问题的通知》(国资委
产权[2006]274号)；
10. 《上海市企业国有资产评估报告审核手册》(沪国资委评估
〔2018〕353号) ；
11. 《中华人民共和国城市房地产管理法》(中华人民共和国主席令
第29号，2007年8月30日第十届全国人民代表大会常务委员会第二十九次
中联资产评估集团有限公司 第37页
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上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
会议修订)；
12. 《中华人民共和国专利法》(2008年中华人民共和国主席令第8
号)；
13. 《中华人民共和国证券法》（2014年8月31日第十二届全国人民
代表大会常务委员会第十次会议修订）；
14. 其他与评估工作相关的法律、法规和规章制度等。
(三)评估准则依据
1.《资产评估基本准则》(财资[2017]43号)；
2.《资产评估职业道德准则》(中评协[2017]30号)；
3.《资产评估执业准则—资产评估报告》(中评协[2018]35号)；
4.《资产评估执业准则—资产评估委托合同》(中评协[2017]33号)；
5.《资产评估执业准则—资产评估程序》(中评协[2018]36号)；
6.《资产评估执业准则—资产评估档案》(中评协[2018]37号)；
7.《资产评估执业准则—机器设备》(中评协[2017]39号)；
8.《资产评估执业准则—无形资产》(中评协[2017]37号)；
9.《专利资产评估指导意见》(中评协〔2017〕49号)；
10. 《资产评估价值类型指导意见》(中评协[2017]47号)；
11. 《资产评估执业准则—企业价值》(中评协[2018]38号)；
12. 《资产评估执业准则—利用专家工作及相关报告》(中评协
[2017]35号) ；
13. 《资产评估对象法律权属指导意见》(中评协[2017]48号)；
14. 《资产评估机构业务质量控制指南》(中评协[2017]46号) ；
15. 《企业国有资产评估报告指南》(中评协[2017]42号)。
(四)资产权属依据
1.《中华人民共和国不动产权证》；
2.《机动车行驶证》；
中联资产评估集团有限公司 第38页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
3.专利证书；
4.重要资产购置合同或凭证；
5.其他参考资料。
(五)取价依据
1.《中国人民银行贷款利率表》2015年10月24日起执行；
2.中国人民银行外汇管理局公布的2019年9月30日汇率中间价；
3.2018年度机电产品报价手册；
4.设备网上查询价格信息资料；
5.商务部、发改委、公安部、环境保护部令2012年第12号《机动车强
制报废标准规定》；
6.《关于固定资产进项税额抵扣问题的通知》(财税[2009]113号)；
7.上海市工程造价信息网有关造价信息资料；
8.中国土地市场网；
9.被评估单位及其管理层提供的行业介绍与分析，以及被评估单位的
介绍、财务资料和盈利预测表等评估基础资料；
10. 被评估单位管理层提供的未来收入、成本和费用预测表；
11. 被评估单位管理层提供的在手合同及目标客户信息资料；
12. 评估人员采集的市场信息资料；
13. 中联资产评估集团有限公司价格信息资料库相关资料；
14. 其他参考资料。
(六)其它参考资料
1.《企业会计准则—基本准则》(财政部令第33号)；
2.《企业会计准则第1号—存货》等38项具体准则(财会[2006]3号)；
3.《企业会计准则—应用指南》(财会[2006]18号)；
4.普华永道审定的2019年9月30日会计报表；
5.《资产评估常用方法与参数手册》(机械工业出版社2011年版)；
中联资产评估集团有限公司 第39页
上海硅产业集团股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估报告
6.Choice金融终端；
7.其他参考资料。
七、评估方法
(一)评估方法的选择
依据资产评估准则的规定，企业价值评估可以采用收益法、市场法、
资产基础法三种方法。收益法是企业整体资产预期获利能力的量化与现值
化，强调的是企业的整体预期盈利能力。市场法是以现实市场上的参照物
来评价估值对象的现行公平市场价值，它具有估值数据直接取材于市场，
估值结果说服力强的特点。资产基础法是指在合理评估企业各项资产价值
和负债的基础上确定评估对象价值的思路。
本次评估目的是为上海硅产业集团股份有限公司拟收购上海新昇半
导体科技有限公司股权提供价值参考依据，资产基础法从企业购建角度反
映了企业的价值，为经济行为实现后企业的经营管理及考核提供了依据，
因此本次评估选择资产基础法进行评估。
上海新昇半导体科技有限公司主要从事晶棒生产，从 2016 年开始厂
房建成，2017 年开始试生产，由于其生产技术正在逐步改进，管理层预计
会很快达到稳定生产，其未来年度预期收益与风险也可以合理估计，也适
合采用收益法进行评估。依据本次评估目的，考虑到基准日其尚处于成长
期，总体来说，资产基础法、市场法较优，故选取资产基础法、市场法进
行评估。
综上，本次评估确定采用资产基础法和市场法进行评估。
(二)资产基础法介绍
资产基础法，是以在评估基准日重新建造一个与评估对象相同的企业
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或独立获利实体所需的投资额作为判断整体资产价值的依据，具体是指将
构成企业的各种要素资产的评估值加总减去负债评估值求得企业价值的
方法。
各类资产及负债的评估方法如下：
1.流动资产
(1)货币资金
货币资金包括现金、银行存款。对人民币现金及银行存款，以核实后
账面值为评估值。
(2)应收类账款
对应收账款、其他应收款的评估，评估人员在对应收类账款核实无误
的基础上，借助于历史资料和现在调查了解的情况，具体分析数额、欠款
时间和原因、款项回收情况、欠款人资金、信用、经营管理现状等。应收
类账款账龄较短，且基准日后大部分已收回，暂无坏账风险。故本次按核
实后账面值确定评估值。
(3)预付账款
对预付账款的评估，评估人员核实了账簿记录、检查了原始凭证等相
关资料，查阅了相关合同或协议，了解了评估基准日至评估现场作业日期
间已接受的服务和收到的货物情况。未发现供货单位有破产、撤销或不能
按合同规定按时提供货物或劳务等情况，故以核实后账面值作为评估值。
(4)存货
存货为在途物资、原材料在产品及产成品。评估人员在核实数量和质
量的基础上，采用市场法评估。
其中：在途物资为近期购入的材料其价格波动不大，账面价值与市场
价值基本相符，故以核实后账面价值确定评估价值。
原材料中进口原材料中关税及国内运输费全部进当期损益，评估按照
加计相关的关税及国内运输费确定评估值。国内外购原材料与近期购入的
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材料其价格波动不大，账面价值与市场价值基本相符，以核实后的存货金
额确定评估价值。
在产品主要为企业领用的原材料，账面净值基本反映了在产品的现行
价值，故以核实后的账面净值确定评估值。
对产成品评估，是根据企业提供的同型号产品在基准日附近时期的不
含税销售价格扣除相应的税费后确定评估值，计算公式为：
产成品的评估值=评估单价×实际数量
=不含税销售单价×[1-销售费用率-销售税金及附加率-销售利润率
×所得税率-销售利润率×(1-所得税率)×净利润折减率]×实际数量
其中：
不含税销售单价：根据企业提供的基准日附近时期同型号产品不含税
销售价格；
销售费用率：根据2019年9月30日审定报表，求得平均销售费用率；
销售税金及附加率：根据2019年9月30日审定报表，求得平均销售税金
及附加率；
销售利润率：目前企业尚处于亏损状态，销售利润率按零计算；
所得税率：被评估企业基准日企业所得税税率；
净利润扣减率：对正常销售的产品，一般情况下，净利润折减率按50%
考虑。
对于企业计提的产成品存货跌价准备，本次评估为零元。
(5)其他流动资产
其他流动资产为企业留抵增值税，本次按核实后账面值确定评估值。
2.非流动资产
(1)固定资产
1)建筑物类资产
纳入评估范围的房屋建(构)筑物均已完工并投入使用。房地产评估一
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般采用的基本方法有：市场比较法、收益法、成本法、假设开发法等，评
估人员应根据不同情况选用相应的方法进行评估。
根据《房地产估价规范》及《资产评估准则——不动产》的相关规定，
应当根据评估对象的特点、价值类型、资料收集情况等相关条件，分析市
场比较法、收益法、成本法、假设开发法等方法的适用性选择恰当的评估
方法,若对象适宜采用多种估价方法进行评估的，应同时采用多种估价方
法进行评估。同时，有条件采用市场比较法进行评估的，应以市场法作为
主要的评估方法。
房地产评估方法有市场法、收益法、假设开发法、成本法等，由于评
估对象是工业建筑，类似房产的市场交易不活跃、成交案例能难以取得；
类似工业建筑整体租赁的案例很少，租金收益难以取得，故不适用市场法
和收益法。评估对象所涉及的土地上已建建筑物，未来没有重新开发的计
划，故不适合采用假设开发法。因此，本次对房屋建(构)筑物评估采用重
置成本法进行。
计算公式：评估值=重置全价×成新率
①重置全价
重值全价=建筑安装工程造价(不含税价)+前期及其他费用(不含税
价)+资金成本
a)建安工程造价的确定
建筑安装工程造价包括土建工程、装饰工程、安装工程的总价，工程
造价采用重编预算法进行计算，套用《上海市建筑和装饰工程预算定额
（2016）》、《上海市安装工程预算定额（2016）》等规定的费率，首先
计算出工程直接费及其他规定费用，然后根据上海市建筑建材业市场管理
总站发布的《上海市工程造价信息 2019 年第 3 季度信息价》计取工程人材
机价差，确定建安综合造价。
b)前期及其他费用的确定
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房屋建筑物的前期及其他费用套用财政部、建设部的有关规定收取的
建设费用及建设单位为建设工程而投入的除建筑造价外的其它费用两个
部分。
c)资金成本的确定
资金成本系在建设期内为工程建设所投入资金的贷款利息，其采用的
利率按基准日中国人民银行规定标准计算，工期按建设正常合理周期计算，
并按均匀投入考虑。
②成新率
本次评估房屋建筑物成新率的确定，参照不同结构的房屋建筑物的经
济寿命年限，并通过评估人员对各建(构)筑物的实地勘察，对建(构)筑物
的基础、承重构件(梁、板、柱)、墙体、地面、屋面、门窗、墙面粉刷、
吊顶及上下水、通风、电照等各部分的勘察，根据原城乡环境建设保护部
发布的《房屋完损等级评定标准》、《鉴定房屋新旧程度参考依据》和《房
屋不同成新率的评分标准及修正系数》，结合建筑物使用状况、维修保养
情况，分别评定得出各建筑物的尚可使用年限。
成新率根据房屋已使用年限和尚可使用年限计算。
成新率=尚可使用年限/(已使用年限+尚可使用年限)×100%
③评估值的计算
评估值=重置全价×成新率
2)设备类资产
根据本次评估目的，按照持续使用原则，以市场价格为依据，结合委
估设备的特点和收集资料情况，主要采用成本法进行评估。
成本法计算公式：评估价值=重置全价×成新率
①机器设备及电子设备
A.重置全价的确定
重置全价由设备购置费、运杂费、安装工程费、其他费用等组成。基
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准日新昇半导体为增值税一般纳税人缴纳单位，故设备重置全价剔除增值
税。重置全价计算公式：
国产外购设备重置全价=设备购置价(不含税)+运杂费(不含税)+安装
调试费(不含税)+前期费用(不含税)+资金成本
进口设备重置全价=CIF 价＋关税＋银行手续费＋外贸手续费＋国内
运杂费(不含税)＋安装调试费(不含税)＋前期费用(不含税)＋资金成本
a.设备购置价或 CIF 价确定
向设备的生产厂家、代理商及经销商询价，查询设备价格信息网的报
价，能够查询到基准日市场价格的设备，以市场价确定其购置价；对无法
询价及查阅到价格的设备，用类似设备的现行市价加以确定。
b.运杂费的确定
设备运杂费是指从产地到设备安装现场的运输费用。运杂费率以设备
购置价为基础，根据生产厂家与设备安装所在地的距离不同，按不同运杂
费率计取。如供货条件约定由供货商负责运输和安装时(在购置价格中已
含此部分价格)，则不计运杂费。
c.安装调试费的确定
参考《资产评估常用数据与参数手册》等资料，按照设备的特点、重
量、安装难易程度，以含税设备购置价为基础，按不同安装费率计取。
对小型、无须安装的设备，不考虑安装调试费。
d.前期及其他费用的确定
前期及其他费用套用财政部、建设部的有关规定收取的建设费用及建
设单位为建设工程而投入的除建筑造价外的其它费用两个部分。
e.资金成本的确定
资金成本系在建设期内为工程建设所投入资金的贷款利息，其采用的
利率按基准日中国人民银行规定标准计算，工期按建设正常合理周期计算，
并按均匀投入考虑。
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f.进口设备相关的关税、增值税、银行财务费、外贸手续费等，参照
《机械工业建设项目概算编制办法及各项概算指标》(1995)关于“进口设
备费用计算办法”之规定确定。
B.成新率的确定
在本次评估过程中，结合设备的经济使用寿命、现场勘察情况预计设
备尚可使用年限，并进而计算其成新率。其公式如下：
成新率=尚可使用年限／(实际已使用年限+尚可使用年限)×100%
对价值量较小的一般设备和电子设备则采用年限法确定其成新率。
C.评估价值的确定
评估价值=重置全价×成新率
②运输车辆
A.重置全价的确定
根据当地经销商报价确定本评估基准日的运输车辆价格，在此基础上
根据《中华人民共和国车辆购置税暂行条例》及当地相关文件计入车辆购
置税、新车上户牌照手续费等，确定其重置全价：
重置全价=现行不含税购置价+车辆购置税+新车上户牌照手续费等
a.现行购价主要取自当地汽车市场现行报价或参照网上报价；
b.车辆购置税按国家相关规定计取；
c.新车上户牌照手续费等按当地交通管理部门规定计取。
B.成新率的确定
对于运输车辆，根据《商务部、发改委、公安部、环境保护部令 2012
年第 12 号》的有关规定，按以下方法确定成新率后取其较小者为最终成新
率，即：
使用年限成新率=(1-已使用年限／经济使用年限)×100%
行驶里程成新率=(1-已行驶里程／规定行驶里程)×100%
成新率=Min(使用年限成新率，行驶里程成新率)
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同时对待估车辆进行必要的勘察鉴定，若勘察鉴定结果与按上述方法
确定的成新率相差较大，则进行适当的调整，若两者结果相当，则不进行
调整。
C.评估价值的确定
评估价值=重置全价×成新率
(2)在建工程
在建工程为设备安装工程，评估人员经查阅设备购置合同、付款凭证
等相关资料进行清查、核实。经清查，上述设备已到并部分安装，尚未投
入使用，企业入账价值已包含资本化利息，故本次按核实后账面值确认。
(3)无形资产
无形资产主要为土地使用权及其他无形资产。
1)无形资产-土地使用权
根据中华人民共和国房地产评估规范，土地使用权评估通常有市场比
较法，收益法、成本法、假设开发法及基准地价系数修正法。本次评估根
据评估目的要求，针对评估对象具体情况，以及可能收集到的资料，采用
适宜的评估方法进行评估。
评估对象为工业用地，周边缺乏同类土地租赁案例，故不适用收益法；
土地已开发完成，故不适用假设开发法；由于该地区动迁政策情况等基础
资料无法查得，合击老传奇，因此不适合采用成本法评估。
评估对象所处区域内工业土地土地出让案例较多，故适用市场比较法
求取；上海市于 2013 年公布了《上海市 2013 年基准地价更新成果》，评
估对象处于基准地价区域范围内，土地个别状况较为明确，符合基准地价
修正体系的要求，故适用基准地价系数修正法。
鉴于上述情况，本次评估分别采用市场比较法和基准地价系数修正法
进行评估，再进行比较分析，取较为合理的结果作为评估值。
①市场比较法
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市场比较法是在求取一宗待估土地的价格时，根据替代原则，将待估
宗地与较近时期内已经发生了交易的类似土地实例加以比较对照，并依据
后者已知的价格，参照该土地的交易情况、期日、区域以及个别因素等差
别，修正得出待估宗地在评估基准日地价的一种方法。其基本公式为：
宗地地价=VB×A×B×D×E
式中：
VB：比较实例价格；
A：待估宗地情况指数／比较实例宗地情况指数
=正常情况指数／比较实例宗地情况指数
B：待估宗地估价期日地价指数／比较实例宗地交易日期地价指数
D：待估宗地区域因素条件指数／比较实例宗地区域因素条件指数
E：待估宗地个别因素条件指数／比较实例宗地个别因素条件指数
②基准地价系数修正法
基准地价系数修正法是根据替代原则，首先选取与评估对象相应的土
地级别及用途相同的基准地价，然后对选取的基准地价进行期日、年期、
区域因素、个别因素、容积率及土地开发程度进行修正，得到评估对象土
地价格。计算公式：
待估土地价格=基准地价×(1+期日修正系数)×年期修正系数×容积
率修正系数×(1+∑Ki)+土地开发程度修正
式中：∑Ki为区域因素和个别因素各项修正系数之和
2)无形资产-其他无形资产
其他无形资产为外购办公软件。另企业申报的账面未记录的无形资产
为专利及专利申请权共计605项。
①外购软件
对外购软件，采用市场法进行评估。
②专利
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无形资产评估的方法通常有成本法、市场法和收益法三种。
市场法主要通过在活跃的专利、专有技术市场或资本市场上选择相
同或相似的专利或专有技术作为参照物，同时针对各种价值影响因素，
如专利技术的功能进行类比，将被评估专利或专有技术与参照物进行价
格差异的比较调整，分析各项调整结果、从而确定专利或专有技术的价
值。使用市场法评估专利或专有技术的必要前提包括：市场数据公开化
程度较高；存在可比的专利或专有技术；参照物的价值影响因素明确且
能够量化等，专利或专有技术市场法评估中使用频率较高的是功能性类
比法。由于我国专利、专有技术市场交易目前尚处于初级阶段，类似专
利、专有技术的公平交易数据采集较为困难，因此市场法在本次评估应
用中可操作性较差。
收益法是以被评估专利、专有技术未来所能创造的收益的现值来确
定评估价值，对专利、专有技术等无形资产而言，其价值主要来源于直
接变卖该等无形资产的收益，或者通过使用该等无形资产为其产品或服
务注入技术加成而实现的超额收益。由于上海新昇半导体科技有限公司
无形资产相关产品目前尚处于试生产阶段，因企业生产技术尚需改进，
管理层也无法确定何时能够稳定并量产，故与无形资产相关的无法形容
预期收益与风险难以合理估计，故本次不适用收益法评估。
成本法通过分析重新开发出被评估专利资产所需花费的物化劳动来
确定评估价值。成本法评估一般适用于经营与收益之间不存在较稳定的
对应关系，相应产品价格存在弱市场性的专利、专有技术评估。成本法
评估从重新购建的角度反映无形资产价值。考虑到本次申报评估的专利
及专利申请权，其研发过程中所发生的人工及其他费用可以取得，故可
采用成本法进行评估。
综上，本次评估选用成本法对无形资产进行评估。
无形资产成本主要由其研制中投入的物化劳动，主要成本为研制开
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发人员的职工薪酬、研发材料及专利申请相关费用等构成。无形资产所
占用的研发费用的投资回报主要考虑资金成本。无形资产因技术产品的
更新换代及被新的技术代替等因素，将导致其技术的陈旧性贬值。
无形资产价值的评估模型为：
A=B×(1-Q)
A：无形资产评估值
B：研发费用与研发费用投资回报之和
Q：技术的陈旧率
Q=技术已使用年限/(技术已使用年限+预计尚可使用时间)
(4)长期待摊费用
长期待摊费用为二期安装工程险。评估人员在清查核实的基础上进行
评估，以核实后的账面值作为评估值。
(5)其他非流动资产
其他非流动资产为预付设备款及工程款。评估人员在清查核实的基础
上进行评估，以核实后的账面值作为评估值。
(6)负债
负债主要由应付账款、预收账款、应付职工薪酬、应交税费、其他应
付款、一年内到期的非流动负债、长期借款及递延收益等组成，评估人员
在清查核实的基础上进行评估，检验核实各项负债在评估目的实现后的实
际债务人和负债额，以评估目的实现后的产权所有者实际需要承担的负债
项目及金额确定评估值。
(三)市场法简介
1.概述
企业价值评估中的市场法，是指将评估对象与可比上市公司或者可比
交易案例进行比较，确定评估对象价值的评估方法。市场法常用的两种具
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体方法是上市公司比较法和交易案例比较法。
上市公司比较法是指获取并分析可比上市公司的经营和财务数据，计
算适当的价值比率，在与被评估企业比较分析的基础上，确定评估对象价
值的具体方法。
交易案例比较法是指获取并分析可比企业的买卖、收购及合并案例资
料，计算适当的价值比率，在与被评估企业比较分析的基础上，确定评估
对象价值的具体方法。
2.技术思路
(1)采用市场法时，应当选择与被评估公司进行比较分析的可比公司，
保证所选择的可比公司与被评估公司具有可比性。可比公司通常应当与被
评估公司属于同一行业，或受相同经济因素的影响。具体来说一般需要具
备如下条件：
A．必须有一个充分发展、活跃的市场；
B．存在三个或三个以上相同或类似的参照物；
C．可比公司与被评估公司的价值影响因素明确，可以量化，相关资料
可以搜集。
(2)由于并购案例资料难以收集，且无法了解其中具体交易条款及是
否存在非市场价值因素，因此本次评估不选用交易案例比较法。考虑到该
行业存在可比上市公司，本次评估选择采用上市公司比较法，即将被评估
公司与同行业的上市公司进行比较，对这些上市公司企业价值和经济数据
作适当的修正，以此估算被评估公司的合理价值的方法。
(3)运用上市公司比较法步骤如下：
A．搜集同行业上市公司信息，选取和确定可比上市公司。
B．分析选取价值比率。
C．分析调整财务数据。
D．查询计算每个可比上市公司价值比率。
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E．分析确定修正价值比率修正因素，并计算修正后的价值比率。
F．根据计算修正后的价值比率，计算被评估公司可比价值。
G．对被评估公司可比价值进行分析调整，确定最终评估。
(4)采用上市公司比较法评估股东全部权益价值的基本公式如下：
股东全部权益价值=(股东全部权益可比价值+非经营性资产价值+溢
余资产价值)×(1-非流通折扣率)
3.具体方法选择
根据本项目的实际情况及资料取得情况，本项目评估选取上市公司比
较法作为具体方法。再根据被评估企业具体情况和收集资料情况分析确定
价值比率。
八、评估程序实施过程和情况
整个评估工作分四个阶段进行：
(一)评估准备阶段
1.委托人召集本项目各中介协调会，有关各方就本次评估的目的、评
估基准日和评估范围等问题协商一致，并制订出本次资产评估工作计划。
2.配合企业进行资产清查、填报资产评估申报明细表等工作。评估项
目组人员对委估资产进行了详细了解，布置资产评估工作，协助企业进行
委估资产申报工作，收集资产评估所需文件资料。
(二)现场评估阶段
本次评估的资产清查核实及尽职调查，是在企业主要资产的所在地现
场进行。采用的方法主要是通过对企业现场清查、参观、以专题座谈会的
形式，对被评估单位的经营性资产的现状、生产条件和能力以及历史经营
状况、经营收入、成本、期间费用及其构成等的状况进行调查复核。
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根据本次项目整体时间安排，现场评估阶段是2020年4月中旬。按照本
次评估确定采用的评估方法，对企业申报的评估范围内资产进行清查和核
实，主要工作如下：
1.听取委托人及被评估企业有关人员介绍企业总体情况和纳入评估
范围资产的历史及现状，了解企业的财务制度、经营状况、固定资产技术
状态等情况；
2.对企业提供的资产评估申报明细表进行审核、鉴别，并与企业有关
财务记录数据进行核对，对发现的问题协同企业做出调整；
3.根据资产评估申报明细表，对实物类资产进行现场清查和盘点；
4.查阅收集纳入评估范围资产的产权证明文件，对被评估企业提供的
权属资料进行查验，核实资产权属情况。统计资产瑕疵情况，请被评估企
业核实并确认这些资产是否属于企业、是否存在产权纠纷；
5.根据纳入评估范围资产的实际状况和特点，确定各类资产的具体评
估方法；
6.对建筑物及设备类资产，了解管理制度和维护、改建、扩建情况，
查阅并收集技术资料、决算资料、竣工验收资料等相关资料；对通用设备，
主要通过市场调研和查询有关资料，收集价格资料；
7.评估对象执行的税率税费及纳税情况；
8.评估对象的业务类型、历史经营业绩和经营模式等；
9.证券市场、产权交易市场等市场的有关资料；
10. 可比企业的财务信息、股票价格或者股权交易价格等资料；
11. 与本次评估有关的其他情况。
(三)评估汇总阶段
对收集的评估资料进行必要分析、归纳和整理，形成评定估算的依据；
根据评估对象、价值类型、评估资料收集情况等相关条件，选择适用的评
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估方法，选取相应的公式和参数进行分析、计算和判断，形成初步评估结
果。
(四)提交报告阶段
在上述工作基础上，起草初步资产评估报告，初步审核后与委托人就
评估结果交换意见。在独立分析相关意见后，按评估机构内部资产评估报
告审核制度和程序进行修正调整，最后出具正式资产评估报告。
九、评估假设
本次评估中，评估人员遵循了以下评估假设：
(一)一般假设
1.交易假设
交易假设是假定所有待评估资产已经处在交易的过程中，评估师根据
待评估资产的交易条件等模拟市场进行估价。交易假设是资产评估得以进
行的一个最基本的前提假设。
2.公开市场假设
公开市场假设，是假定在市场上交易的资产，或拟在市场上交易的资
产，资产交易双方彼此地位平等，彼此都有获取足够市场信息的机会和时
间，以便于对资产的功能、用途及其交易价格等做出理智的判断。公开市
场假设以资产在市场上可以公开买卖为基础。
3.资产持续经营假设
资产持续经营假设是指评估时需根据被评估资产按目前的用途和使
用的方式、规模、频度、环境等情况继续使用，或者在有所改变的基础上
使用，相应确定评估方法、参数和依据。
(二)特殊假设
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1.本次评估假设评估基准日后国家现行的宏观经济、金融以及产业政
策等外部经济环境不会发生不可预见的重大不利变化。
2.假设评估对象所处的社会经济环境以及所执行的税赋、税率等政策
无重大变化，信贷政策、利率、汇率基本稳定。
3.本次评估的各项资产均以评估基准日的实际存量为前提，有关资产
的现行市价以评估基准日的国内有效价格为依据。
4.评估对象经营业务合法，并不会出现不可预见的因素导致其无法持
续经营。
5.以持续使用和公开市场为前提，确定的现行市场价值，没有考虑将
来可能承担的抵押、担保事宜，以及特殊的交易方式可能追加付出的价格
等对其评估价值的影响，也未考虑国家宏观经济政策发生变化以及遇有自
然力和其它不可抗力对资产价格的影响。
当上述条件发生变化时，评估结果一般会失效。
十、评估结论
根据有关法律法规和资产评估准则，采用资产基础法和市场法，按照
必要的评估程序，对上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基
准日 2019 年 9 月 30 日的市场价值进行了评估。
(一) 评估结果
采用资产基础法，得出被评估单位在评估基准日 2019 年 9 月 30 日的
评估结论：
总资产账面值 234,579.62 万元，评估值 278,475.04 万元，评估增值
43,895.42 万元，增值率 18.71%。
负债账面值 167,539.32 万元，评估值 78,748.96 万元，评估减值
88,790.36 万元，减值率 53.00%。
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净资产账面值 67,040.30 万元，评估值 199,726.08 万元，评估增值
132,685.78 万元，增值率 197.92%。详见下表。
资产评估结果汇总表
被评估单位：上海新昇半导体科技有限公司 评估基准日：2019 年 9 月 30 日 金额单位：人民币万元
账面价值 评估价值 增减值 增值率％
项 目
B C D=C-B E=D/B×100%
1 流动资产 40,543.06 41,046.21 503.15 1.24
2 非流动资产 194,036.56 237,428.83 43,392.27 22.36
3 固定资产 143,011.98 155,373.82 12,361.84 8.64
4 其中：建 筑 物 22,375.47 26,241.96 3,866.49 17.28
5 设 备 120,636.52 129,131.86 8,495.34 7.04
6 在建工程 25,683.96 25,683.96 - -
7 无形资产 8,385.22 39,415.65 31,030.43 370.06
8 其中：土地使用权 6,779.90 13,182.53 6,402.63 94.44
9 长期待摊费用 94.42 94.42 - -
10 递延所得税资产 - - -
11 其他非流动资产 16,860.98 16,860.98 - -
12 资产总计 234,579.62 278,475.04 43,895.42 18.71
13 流动负债 42,887.94 42,887.94 - -
14 非流动负债 124,651.38 35,861.02 -88,790.36 -71.23
15 负债总计 167,539.32 78,748.96 -88,790.36 -53.00
16 净 资 产（所有者权益） 67,040.30 199,726.08 132,685.78 197.92
资产基础法评估结论详细情况见评估明细表。
(二) 市场法评估结果
采用市场法评估，上海新昇半导体科技有限公司净资产账面值为
67,040.30 万元，评估值为 220,700.00 万元，评估增值 153,659.70 万元，
增值率 229.20%。
评估结果分析及最终评估结论
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1.评估结果分析
本次评估采用资产基础法得出的股东全部权益价值为199,726.08万
元，比市场法测算得出的股东全部权益价值220,700.00万元低20,973.92
万元。两种评估方法差异的原因主要是：
(1)资产基础法评估是以资产的成本重置为价值标准，反映的是资产
投入(购建成本)所耗费的社会必要劳动，这种购建成本通常将随着国民经
济的变化而变化；
(2)市场法是从整体市场的表现和未来的预期来评定企业的价值，是
企业在某时点所反映的外部市场价格，其结果会受到市场投资环境、投机
程度、以及投资者信心等一些因素影响而波动相对剧烈。
综上所述，从而造成两种评估方法产生差异。
2.最终评估结论
市场法所选用的股票市值未能体现大股东真实变现所产生的各类变
现成本，如大额抛售对每股价格的影响等，以及市场法结果会受到市场投
资环境、投机程度、以及投资者信心等一些因素影响而波动相对剧烈。 而
资产基础法是对企业账面资产和负债的现行公允价值进行评估，是以企业
要素资产的再建为出发点。相对而言，资产基础法的评估结果较能合理反
应被评估企业股东全部权益于评估时点的市场价值。
通过以上分析，我们选用资产基础法评估结果199,726.08万元作为本
次公司股东全部权益(净资产)价值参考依据。
(三) 评估结论与账面价值比较变动情况及原因
被评估企业的资产基础法评估结果较其净资产账面值增值的主要原
因是：
1.存货评估增值：系由于原材料账面成本为关税完税价格，本次评估
价值由关税完税价格、关税及国内运输费等组成，导致评估增值；
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2.固定资产增值：系建筑物及设备评估增值，建筑物评估增值系评估
基准日较建造时期人、材、机的价格小幅上涨；设备评估增值系进口设备
汇率变动，考虑了项目建设相关的前期费用及其他费用，企业计提固定资
产折旧的速度较快，以及本次评估考虑了上海市区客车牌照价值；
3.递延收益评估减值，系由于递延收益为非直接性负债，为未来不需
支付的款项，本次按递延收益确认时应缴的企业所得税确定评估价值。
上述因素共同作用，导致被评估企业股东全部权益(净资产)评估增值。
十一、特别事项说明
评估报告使用人在使用本评估报告时，应关注以下特别事项对评估结
论可能产生的影响，在依据本报告自行决策时给予充分考虑。
(一) 权属等主要资料不完整或者存在瑕疵的情形
（1）产权瑕疵事项
评估人员未发现产权瑕疵事项。委托人与被评估单位亦明确说明不存
在产权瑕疵事项。
（2）抵押担保事项
截止评估基准日，被评估企业抵押借款主要为与招商银行上海华灵支
行签订的两年期浮动利率借款协议下的人民币借款270,000,000.00元，借
款额度人民币507,000,000.00元，由上海新昇241,832,925.29元的已购机
器设备及估价558,167,074.71元的待采购机器设备合计800,000,000.00
元的机器设备作抵押，并由上海硅产业集团股份有限公司提供担保，借款
期限为2019年3月39日至2021年3月29日，借款的年利率为4.9875%，利息每
季度支付一次，本金应于2021年3月29日前分批偿还。
2019年8月6日，新昇半导体与上海银行签订编号为“23019002001”
的固定资产借款合同，借款期限自2019年8月6日至2024年5月30日，借款
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金额为人民币100,000.00万元，用于集成电路制造用300毫米硅片技术研
发与产业化一期扩产项目。上述借款由上海硅产业集团股份有限公司提
供保证担保，以及上海新昇半导体科技有限公司提供设备抵押担保，
以上事项特提醒报告使用者注意。
(二)委托人未提供的其他关键资料说明
评估人员未发现有委托人未提供的其他关键资料。委托人亦明确说明
不存在其他关键资料未提供情况。
(三)未决事项、法律纠纷等不确定因素
评估人员未获悉企业存在未决事项、法律纠纷等不确定因素。委托人
与被评估单位亦明确说明不存在未决事项、法律纠纷等不确定因素。
(四) 重要的利用专家工作及相关报告情况
本次评估报告中基准日各项资产及负债账面值系包括在经普华永道
审计的上海硅产业集团股份有限公司合并报表范围内（普华永道中天审字
(2019)第 11056 号）。
除此之外，未引用其他机构报告内容。
(五)重大期后事项
期后事项是指评估基准日之后出具评估报告之前发生的重大事项。
本次评估申报范围内的房屋建筑物共19幢，位于上海市浦东新区云水
路1000号内，房屋总建筑面积102,982.05平方米，于评估基准日尚未取得
不动产权证，土地由“沪房地浦字(2016)第279070号”《上海市房地产权
证》确权，为出让工业用地。上述建筑物已于2019年10月24日取得“沪（2019）
浦字不动产权第117292号”《中华人民共和国不动产权证》。
除上述事项外，评估人员未发现其他重大期后事项，委托人与被评估
单位亦明确告知不存在其他重大期后事项。
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(六)评估程序受限的有关情况、评估机构采取的弥补措施及对评估结
论影响的说明
评估人员未发现影响资产核实事项。委托人与被评估单位亦明确说明
不存在影响资产核实事项。
(七)其他需要说明的事项
1.关于专利及专利申请权评估
依据上海新昇半导体科技有限公司提供的资料，新昇公司申报评估范
围内的专利或专利申请权，因受市场的变化和技术更新的影响，原开发及
申请的部分专利或专利申请权所对应的技术，公司目前未使用，管理层目
前预计未来也不会使用。本次评估，以企业申报的研发成本总金额，按企
业目前在用的专利或专利申请权占申报的专利或专利申请权的比例进行
调整，以调整后的研发成本为基数估算专利或专利申请权评估价值。以上
事项特提醒报告使用者注意。
2.评估师和评估机构的法律责任是对本报告所述评估目的下的资产
价值量做出专业判断，并不涉及到评估师和评估机构对该项评估目的所对
应的经济行为做出任何判断。评估工作在很大程度上，依赖于委托人及被
评估单位提供的有关资料。因此，评估工作是以委托人及被评估单位提供
的有关经济行为文件，有关资产所有权文件、证件及会计凭证，有关法律
文件的真实合法为前提。
3.评估过程中，评估人员观察所评估房屋建筑物的外貌，在尽可能的
情况下察看了建筑物内部装修情况和使用情况，未进行任何结构和材质测
试。在对设备进行清查时，因检测手段限制及部分设备正在运行等原因，
主要依赖于评估人员的外观观察和被评估单位提供的近期检测资料及向
有关操作使用人员的询问情况等判断设备状况。
4.本次评估范围及采用的由被评估单位提供的数据、报表及有关资料，
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委托人及被评估单位对其提供资料的真实性、完整性负责。
5.评估报告中涉及的有关权属证明文件及相关资料由被评估单位提
供，委托人及被评估单位对其真实性、合法性承担法律责任。
6.在评估基准日以后的有效期内，如果资产数量及作价标准发生变化
时，应按以下原则处理：
(1)当资产数量发生变化时，应根据原评估方法对资产数额进行相应
调整；
(2)当资产价格标准发生变化、且对资产评估结果产生明显影响时，委
托人应及时聘请有资格的资产评估机构重新确定评估价值；
(3)对评估基准日后，资产数量、价格标准的变化，委托人在资产实际
作价时应给予充分考虑，进行相应调整。
7.评估师执行资产评估业务的目的是对评估对象价值进行估算并发
表专业意见，并不承担相关当事人决策的责任。评估结论不应当被认为是
对评估对象可实现价格的保证。
8.本次评估对象为被评估单位股东全部权益，未考虑资产流动性对评
估结论的影响。
十二、资产评估报告使用限制说明
(一)本评估报告只能用于本报告载明的评估目的和用途。同时，本次
评估结论是反映评估对象在本次评估目的下，根据公开市场的原则确定的
现行公允市价，没有考虑将来可能承担的抵押、担保事宜，以及特殊的交
易方可能追加付出的价格等对评估价格的影响，同时，本报告也未考虑国
家宏观经济政策发生变化以及遇有自然力和其它不可抗力对资产价格的
影响。当前述条件以及评估中遵循的持续经营原则等其它情况发生变化时，
评估结论一般会失效。评估机构不承担由于这些条件的变化而导致评估结
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果失效的相关法律责任。
本评估报告成立的前提条件是本次经济行为符合国家法律、法规的有
关规定，并得到有关部门的批准。
(二)本评估报告只能由评估报告载明的评估报告使用者使用。评估报
告的使用权归委托人所有，未经委托人许可，本评估机构不会随意向他人
公开。
(三)未征得本评估机构同意并审阅相关内容，评估报告的全部或者部
分内容不得被摘抄、引用或披露于公开媒体，法律、法规规定以及相关当
事方另有约定的除外。
(四)资产评估报告使用人应当正确理解和使用评估结论。评估结论不
等同于评估对象可实现价格，评估结论不应当被认为是对评估对象可实现
价格的保证。
(五)评估结论的使用有效期：根据资产评估相关法律法规，涉及法定
评估业务的资产评估报告，须委托人按照法律法规要求履行资产评估监督
管理程序后使用，评估结果使用有效期一年，即自2019年9月30日至2020年
9月29日使用有效。
十三、资产评估报告日
本资产评估报告日为二〇二〇年五月二十二日。
(此页以下无正文)
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附件目录
1.上海新昇半导体科技有限公司《临时董事会决议》 (复印件)；
2.经普华永道中天会计师事务所(特殊普通合伙)审计审定的会计报
表 (复印件)；
3.委托人及被评估单位企业法人营业执照(复印件)；
4.评估对象涉及的主要权属证明资料(复印件)；
5.委托人及被评估单位的承诺函；
6.签字资产评估师的承诺函；
7.中联资产评估集团有限公司企业法人营业执照(复印件)；
8.中联资产评估集团有限公司资产评估备案文件(复印件)；
9.签字资产评估师资格证书(复印件)；
10. 资产评估明细表。
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